[發(fā)明專利]一種自動(dòng)調(diào)整組件溫度的方法、裝置、設(shè)備及可讀介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110963642.1
• 申請(qǐng)日: 2021-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN113867499B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳詠喧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F1/20
• 分類號(hào): G06F1/20;G06F11/30
• 代理公司: 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278
• 代理人: 劉小峰;張濤

1.一種自動(dòng)調(diào)整組件溫度的方法，其特征在于，包括以下步驟：

測(cè)量主板前方設(shè)置的各個(gè)MOS管的溫度；

基于測(cè)量到的溫度判斷是否有MOS管處于異常狀態(tài)；

響應(yīng)于有MOS管處于異常狀態(tài)，減小處于異常狀態(tài)的MOS管的電流并增加其他MOS管的電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，基于測(cè)量到的溫度判斷是否有MOS管處于異常狀態(tài)包括：

將測(cè)量到的溫度分別與溫度閾值進(jìn)行比較；

響應(yīng)于測(cè)量到的溫度大于所述溫度閾值，確定溫度大于所述溫度閾值的MOS管處于異常狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，響應(yīng)于有MOS管處于異常狀態(tài)，減小處于異常狀態(tài)的MOS管的電流并增加其他MOS管的電流包括：

響應(yīng)于有MOS管處于異常狀態(tài)，減小處于異常狀態(tài)的MOS管的信道以使通過異常MOS管的電流減??；

增加其他MOS管的信道以使通過其他MOS管的電流增加。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

將處于異常狀態(tài)的MOS管的信息和溫度記錄到緩存器中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，測(cè)量主板前方設(shè)置的各個(gè)MOS管的溫度包括：

使用微奧姆計(jì)測(cè)量每個(gè)MOS管兩端的阻抗；

將測(cè)量到的阻抗轉(zhuǎn)換成溫度。

6.一種自動(dòng)調(diào)整組件溫度的裝置，其特征在于，所述裝置包括：

測(cè)量模塊，所述測(cè)量模塊配置為測(cè)量主板前方設(shè)置的各個(gè)MOS管的溫度；

判斷模塊，所述判斷模塊配置為基于測(cè)量到的溫度判斷是否有MOS管處于異常狀態(tài)；

調(diào)節(jié)模塊，所述調(diào)節(jié)模塊配置為響應(yīng)于有MOS管處于異常狀態(tài)，減小處于異常狀態(tài)的MOS管的電流并增加其他MOS管的電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述判斷模塊還配置為：

將測(cè)量到的溫度分別與溫度閾值進(jìn)行比較；

響應(yīng)于測(cè)量到的溫度大于所述溫度閾值，確定溫度大于所述溫度閾值的MOS管處于異常狀態(tài)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)模塊還配置為：

響應(yīng)于有MOS管處于異常狀態(tài)，減小處于異常狀態(tài)的MOS管的信道以使通過異常MOS管的電流減??；

增加其他MOS管的信道以使通過其他MOS管的電流增加。

9.一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，其特征在于，包括：

至少一個(gè)處理器；以及

存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)指令，所述指令由所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述方法的步驟。

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述方法的步驟。