[發(fā)明專利]一種低功耗低延遲的離散時(shí)間模擬電壓比較器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110962568.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113872573A | 公開(公告)日: | 2021-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王仕禎;翁勛維;范柚攸;張龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京時(shí)代民芯科技有限公司;北京微電子技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | H03K5/24 | 分類號(hào): | H03K5/24 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 范曉毅 |
| 地址: | 100076 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 功耗 延遲 離散 時(shí)間 模擬 電壓 比較 | ||
1.一種低功耗低延遲的離散時(shí)間模擬電壓比較器,其特征在于,包括時(shí)序產(chǎn)生模塊和比較器模塊;
所述時(shí)序產(chǎn)生模塊,基于外部時(shí)鐘輸入CLK_IN產(chǎn)生五個(gè)不同相位的時(shí)鐘Φ1,Φ2,Φ1N1,Φ1N2,Φ3;所述Φ1與Φ2是兩相不交疊時(shí)鐘,延遲時(shí)鐘Φ1N1和延遲時(shí)鐘Φ1N2是Φ1的反相信號(hào),Φ1N1與Φ1N2均超前于Φ2,且Φ1N1超前于Φ1N2;Φ3為反相脈沖信號(hào),Φ3下降沿與Φ1N1的下降沿對(duì)齊;
比較器模塊,用于在Φ1相位下對(duì)輸入的離散信號(hào)VINP和VINN進(jìn)行比較,并在復(fù)位時(shí)鐘Φ2前利用Φ1N1上升沿與Φ1N2上升沿之間的時(shí)間差輸出當(dāng)前周期的比較結(jié)果;用于在Φ2相位下保持當(dāng)前周期比較結(jié)果的輸出,并在Φ2相位結(jié)束后利用Φ3進(jìn)行補(bǔ)償,保持當(dāng)前周期比較結(jié)果直至當(dāng)前周期結(jié)束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗低延遲的離散時(shí)間模擬電壓比較器,其特征在于,所述比較器主體模塊包括電容C1和C2,晶體管NM11和NM12,預(yù)放大級(jí),緩沖級(jí)和鎖存輸出級(jí);
預(yù)放大級(jí)用于在Φ1為高電平時(shí)放大輸入的離散信號(hào)VINP和VINN,并將放大后的離散信號(hào)傳輸至緩沖級(jí);
緩沖級(jí)用于在Φ1N1為高電平時(shí),利用Φ1N1上升沿與Φ1N2上升沿之間的時(shí)間差將比較結(jié)果傳輸?shù)芥i存輸出級(jí);
鎖存輸出級(jí)用于在Φ1N1上升沿與Φ1N2上升沿之間的時(shí)間差內(nèi)輸出比較結(jié)果并在Φ1為低電平時(shí)鎖存當(dāng)前周期的比較結(jié)果;
電容C1和C2用于消除預(yù)放大級(jí)的輸入端失調(diào);
NM11和NM12作為開關(guān)使Φ2高電平時(shí)對(duì)預(yù)放大器的輸出進(jìn)行復(fù)位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低功耗低延遲的離散時(shí)間模擬電壓比較器,其特征在于,所述預(yù)放大級(jí)包括PMOS晶體管PM1-PM3與NMOS晶體管NM1-NM4;PM1為預(yù)放大器提供電流偏置;PM2與PM3為比較器模塊的輸入管,Φ1為高電平時(shí)離散信號(hào)VINP和VINN通過PM2與PM3輸入預(yù)放大級(jí);NM1-NM4為預(yù)放大級(jí)的負(fù)載,NMOS晶體管NM2與NM3為交叉耦合結(jié)構(gòu),NMOS晶體管NM1與NM4用于提高預(yù)放大級(jí)的增益。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低功耗低延遲的離散時(shí)間模擬電壓比較器,其特征在于,所述緩沖級(jí)包括PMOS晶體管PM4-PM9和NMOS晶體管NM5-NM7;NM5與NM6為緩沖級(jí)的輸入,NM7為緩沖級(jí)提供電流偏置;PMOS晶體管PM6與PM7作為緩沖級(jí)的第一級(jí)開關(guān),在Φ1N2為低時(shí)導(dǎo)通,PMOS晶體管PM4與PM5作為緩沖級(jí)的第二級(jí)開關(guān),在Φ1N1為低時(shí)導(dǎo)通,PMOS晶體管PM8與PM9作為緩沖級(jí)的上拉開關(guān),在Φ3為低的時(shí)候?qū)ā?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低功耗低延遲的離散時(shí)間模擬電壓比較器,其特征在于,所述鎖存輸出級(jí)包括PMOS晶體管PM10-PM11,NMOS晶體管NM8-NM10,反相器INV1-INV4和RS觸發(fā)器;PM10-PM11和NM8-NM10共同用于鎖存當(dāng)前周期的比較結(jié)果,其中PM10,PM11,NM8和NM9為鎖存輸出級(jí)的交叉耦合負(fù)載,NM10作為開關(guān),為鎖存輸出級(jí)提供下拉電流;所述RS觸發(fā)器由二輸入與非門NAND1與NAND2構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗低延遲的離散時(shí)間模擬電壓比較器,其特征在于,所述時(shí)序產(chǎn)生模塊包括反相器INV1-INV31,二輸入與非門NAND1-NAND3;反相器INV1-INV17與二輸入與非門NAND1與NAND2對(duì)輸入時(shí)鐘CLK_IN進(jìn)行處理產(chǎn)生兩路兩相不交疊時(shí)鐘Φ1與Φ2;反相器INV18,INV28,INV29用于基于兩相不交疊時(shí)鐘Φ1與Φ2產(chǎn)生時(shí)鐘Φ1N1;反相器INV18,INV20-INV23,INV30和INV31用于基于兩相不交疊時(shí)鐘Φ1與Φ2產(chǎn)生時(shí)鐘Φ1N2;反相器INV18-INV27與二輸入與非門NAND3用于產(chǎn)生時(shí)鐘Φ3。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京時(shí)代民芯科技有限公司;北京微電子技術(shù)研究所,未經(jīng)北京時(shí)代民芯科技有限公司;北京微電子技術(shù)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110962568.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種基于功耗池的集群功耗分配方法
- 遠(yuǎn)端射頻單元及其功耗限制方法、以及基站控制器
- 一種基站功耗的監(jiān)測(cè)方法及裝置
- 一種整機(jī)柜功耗限制方法及裝置
- 功耗處理方法、裝置、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)
- 一種整機(jī)箱功耗的分配方法、系統(tǒng)、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種基于LSTM的機(jī)房功耗預(yù)警方法、系統(tǒng)、終端及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 功耗調(diào)節(jié)方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)、服務(wù)器和終端
- 一種數(shù)據(jù)中心的功耗控制方法、系統(tǒng)及相關(guān)組件
- 一種延遲掉電省功耗方法和裝置
- 時(shí)間同步裝置、時(shí)間同步系統(tǒng)和時(shí)間同步方法
- 時(shí)間校準(zhǔn)裝置和時(shí)間校準(zhǔn)方法
- 時(shí)間同步系統(tǒng)及時(shí)間同步方法
- 時(shí)間同步方法、時(shí)間同步系統(tǒng)、時(shí)間主設(shè)備以及時(shí)間從設(shè)備
- 時(shí)間控制裝置和時(shí)間控制方法
- 時(shí)間測(cè)試電路及時(shí)間測(cè)試方法
- 時(shí)間的飛行時(shí)間
- 局部激活時(shí)間的時(shí)間變換
- 時(shí)間測(cè)量電路、時(shí)間測(cè)量芯片及時(shí)間測(cè)量裝置
- 時(shí)間同步方法與時(shí)間同步系統(tǒng)





