[發(fā)明專利]一種降壓型電源切換損失的電路、方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110962421.2
• 申請(qǐng)日: 2021-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN113612370B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余智淳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/00
• 分類號(hào): H02M1/00
• 代理公司: 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205
• 代理人: 張營(yíng)磊

本發(fā)明提供一種降低降壓型電源切換損失的電路、方法及裝置，所述電路包括控制模塊、能量卸除管和變壓器；控制模塊連接有第一和第二開關(guān)管；第一開關(guān)管受控端與控制模塊連接，第一開關(guān)管第一端連接有電源輸入端，第一開關(guān)管第一端還與能量卸除管第一端連接；變壓器第三端與第一開關(guān)管第二端連接，變壓器第四端與能量卸除管第二端連接，變壓器第二端連接有電源輸出端和輸出電容；第二開關(guān)管受控端與控制模塊連接，第二開關(guān)管第一端與第一開關(guān)管第二端及變壓器第一端連接，第二開關(guān)管第二端與輸出電容另一端連接，并接地。本發(fā)明將原有降壓型開關(guān)電路上臂殘留能量進(jìn)行卸載并通過變壓器傳遞到下臂輸出，減少切換損失，提高電源電路的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于服務(wù)器電源效率技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種降低降壓型電源切換損失的電路、方法及裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有服務(wù)器電源大都采用降壓型開關(guān)線路，降壓型開關(guān)線路通過上臂MOS管與下臂MOS管回圈形成，目前此類線路已可對(duì)應(yīng)市場(chǎng)上大多產(chǎn)品應(yīng)用，如一般的手機(jī)充電器，一般生活電器用戶，使用相當(dāng)廣泛。

現(xiàn)有的降壓型開關(guān)電路僅單靠一上臂及單一下臂開關(guān)管作為組合形成降壓型電路，只依賴材料及制程上的改進(jìn)提升電源轉(zhuǎn)換效率，此類降壓型開關(guān)管切換時(shí)沒有輔助，因而會(huì)導(dǎo)致開關(guān)管上形成硬切換損失。整個(gè)服務(wù)器系統(tǒng)因?yàn)殚_關(guān)管切換損失導(dǎo)致電源效率低，產(chǎn)品發(fā)熱量大，可靠度低，并存在損壞產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)。

此為現(xiàn)有技術(shù)的不足，因此，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，提供一種降低降壓型電源切換損失的電路、方法及裝置，是非常有必要的。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述現(xiàn)有降壓型開關(guān)電路的開關(guān)管在切換時(shí)存在硬切換損失導(dǎo)致電源效率低，發(fā)熱量大的缺陷，本發(fā)明提供一種降低降壓型電源切換損失的電路、方法及裝置，以解決上述技術(shù)問題。

第一方面，本發(fā)明提供一種降低降壓型電源切換損失的電路，包括控制模塊、能量卸除管和變壓器；

控制模塊連接有第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；

第一開關(guān)管的受控端與控制模塊連接，第一開關(guān)管的第一端連接有電源輸入端，第一開關(guān)管的第一端還與能量卸除管的第一端連接；

變壓器包括一次側(cè)線圈和二次側(cè)線圈，變壓器一次側(cè)線圈設(shè)有第一端和第二端，變壓器二次側(cè)線圈設(shè)有第三端和第四端；

變壓器的第三端與第一開關(guān)管的第二端連接，變壓器的第四端與能量卸除管的第二端連接，變壓器的第二端連接有電源輸出端和輸出電容；

第二開關(guān)管的受控端與控制模塊連接，第二開關(guān)管的第一端與第一開關(guān)管的第二端及變壓器的第一端連接，第二開關(guān)管的第二端與輸出電容另一端連接，并接地。

進(jìn)一步地，第一開關(guān)管采用第一MOS管，第二開關(guān)管采用第二MOS管，能量卸除管采用第三MOS管；

第一MOS管的柵極與控制模塊連接，第一MOS管的漏極與電源輸入端、及第三MOS管的漏極連接，第一MOS管的源極與第二MOS管的漏極、變壓器的第三端以及變壓器的第一端連接；

第三MOS管的源極與變壓器的第四端連接；

第二MOS管的柵極與控制模塊連接，第二MOS管的源極接地。第一開關(guān)管、第二開關(guān)管以及能量卸除管采用MOS管，功能低，降低損耗。

進(jìn)一步地，第一MOS管和第二MOS管均采用N溝道MOS管；

第三MOS管采用帶有寄生二極管的N溝道MOS管。

進(jìn)一步地，第三MOS管的柵極懸空。第三MOS管的寄生二極管為防二次擊穿的保護(hù)二極管。

進(jìn)一步地，控制模塊控制第一MOS管和第二MOS管不同時(shí)導(dǎo)通；

當(dāng)?shù)谝籑OS管漏極與源極不導(dǎo)通時(shí)，第一MOS管漏極與源極之間形成第一寄生電容；