[發(fā)明專利]一種寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)及控制系統(tǒng)與方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110961901.7
• 申請(qǐng)日: 2021-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN113726320B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都振芯科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51217
• 代理人: 賀理興

1.一種寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)，其特征在于，包括控制信號(hào)輸入端口、控制信號(hào)處理電路、數(shù)字信號(hào)輸入端口、第一MOS管、傳輸門、信號(hào)源、接地電阻和信號(hào)輸出端口；所述控制信號(hào)處理電路的輸入端和所述傳輸門的控制端均與所述控制信號(hào)輸入端口連接；所述控制信號(hào)處理電路的輸出端與所述第一MOS管的柵極連接；所述第一MOS管的源極與所述信號(hào)源的輸入端連接；所述信號(hào)源的負(fù)極接地；所述傳輸門的輸入端與所述數(shù)字信號(hào)輸入端口連接；所述傳輸門的輸出端、所述第一MOS管的漏極和所述接地電阻均與所述信號(hào)輸出端口連接；所述控制信號(hào)處理電路用于對(duì)輸入的控制信號(hào)進(jìn)行兩次反相處理后進(jìn)行濾波處理，并將處理后的信號(hào)輸入第一MOS管的柵極；所述傳輸門通過所述控制信號(hào)進(jìn)行控制。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)，其特征在于，所述控制信號(hào)處理電路包括第一反相器、第二反相器和高通濾波電路；所述第一反相器的輸入端與所述控制信號(hào)輸入端口連接；所述第二反相器的輸入端與所述第一反相器的輸出端連接；所述高通濾波電路的輸入端與所述第二反相器的輸出端連接；所述高通濾波電路的輸出端與所述第一MOS管的柵極連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)，其特征在于，所述高通濾波電路包括第一電阻和第一電容；所述第一電阻的第一端與所述第二反相器的輸出端連接；所述第一電阻的第二端和所述第一電容的第一端均與所述第一MOS管的柵極連接；所述第一電容的第二端與所述信號(hào)源的輸入端連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)，其特征在于，所述第一電阻為可調(diào)電阻；所述第一電容為可調(diào)電容。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)，其特征在于，所述傳輸門包括第二MOS管和第三MOS管；所述第二MOS管的源極和所述第三MOS管的源極均與所述數(shù)字信號(hào)輸入端口連接；所述第二MOS管的漏極和所述第三MOS管的漏極均與所述信號(hào)輸出端口連接；所述第二MOS管的柵極與所述控制信號(hào)輸入端口連接；所述第三MOS管的柵極與所述第一反相器的輸出端連接。

6.一種寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)控制系統(tǒng)，其特征在于，包括控制器以及與所述控制器連接的權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)；所述控制器用于控制所述寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)進(jìn)行切換。

7.一種寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)控制方法，應(yīng)用于權(quán)利要求6所述的寬帶低功耗高線性數(shù)模開關(guān)控制系統(tǒng)，其特征在于，包括：

通過控制器向控制信號(hào)輸入端口輸入控制信號(hào)；

第一MOS管和傳輸門根據(jù)所述控制信號(hào)進(jìn)行通斷控制，切換信號(hào)輸出端口輸出的信號(hào)類型。