[發明專利]多層電子組件

在審

• 申請號: 202110961761.3
• 申請日: 2021-08-20
• 公開（公告）號: CN114388264A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 鄭雄圖;吳由弘;李炅烈;具根會;李永秀
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/012
• 分類號: H01G4/012;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 趙曉旋;孫麗妍

1.一種多層電子組件，包括：

主體，內電極和介電層交替地設置在所述主體中，所述內電極包括Ni和Sn；以及

外電極，設置在所述主體的表面上，連接到所述內電極，并且包括Cu和Sn，

其中，所述內電極在與所述外電極接觸的區域中包括包含Ni、Cu和Sn的合金，并且Sn的量滿足下式：1C2/C113.5，其中，C1是在所述主體的中央部分處所述內電極中包括的Sn的含量，并且C2是在所述主體的向內方向上距所述內電極與所述外電極彼此接觸的點2μm的點處所述內電極的Sn的含量，其中，Sn的含量是基于所述內電極中包括的成分的總量的at％。

2.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

C2/C1大于等于3.5且小于13.5。

3.根據權利要求2所述的多層電子組件，其中，

C2/C1大于等于7.0且小于13.5。

4.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

C2/C1大于1且小于等于8.9。

5.根據權利要求4所述的多層電子組件，其中，

C2/C1大于等于1.4且小于等于8.9。

6.根據權利要求5所述的多層電子組件，其中，

C2/C1大于等于3.5且小于等于8.9。

7.根據權利要求6所述的多層電子組件，其中，

C2/C1大于等于7.0且小于等于8.9。

8.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

C1為0.1at％至1.0at％，并且C2為1.0at％至20.0at％。

9.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

Sn和Cu中的每者的原子百分比從所述內電極與所述外電極彼此接觸的所述點起在所述主體的向內方向上逐漸減小。

10.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

在所述主體的所述向內方向上距所述內電極與所述外電極彼此接觸的所述點的距離大于等于5μm且小于等于10μm的區域中，所述內電極包括5at％或更多的Sn。

11.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

在所述主體的所述向內方向上距所述內電極與所述外電極彼此接觸的所述點的距離大于等于5μm且小于等于10μm的區域中，所述內電極包括10at％或更多的Cu。

12.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

所述內電極還包括Pd、Ag、Au、Pt、W、Ti以及它們的合金中的至少一種。

13.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

所述外電極在與所述內電極接觸的區域中包括包含Ni、Cu和Sn的合金。

14.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

所述外電極還包括玻璃。

15.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

所述外電極還包括Pd、Ag、Au、Pt、W、Ti以及它們的合金中的至少一種。

16.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

所述內電極的平均厚度為0.41μm或更小。

17.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，

所述介電層的平均厚度為0.41μm或更小。