[發明專利]含錫的多元化合物光吸收層以及光電器件的制備方法

在審

• 申請號: 202110959636.9
• 申請日: 2021-08-19
• 公開（公告）號: CN113675299A
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 楊佳偉;馮葉;楊春雷;張陳斌;張玉萍;彭燕君;張琛;王偉
• 申請（專利權）人: 深圳先進技術研究院;中國科學院深圳理工大學（籌）
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;黃進

1.一種含錫的多元化合物光吸收層的制備方法，其特征在于，包括：

制備獲得含錫的多元化合物光吸收層的前驅體材料層；

使用脈沖激光對所述前驅體材料層進行激光熱退火處理以使所述前驅體材料層發生重結晶，制備獲得所述含錫的多元化合物光吸收層。

2.根據權利要求1所述的含錫的多元化合物光吸收層的制備方法，其特征在于，所述使用脈沖激光對所述前驅體材料層進行激光熱退火處理包括：將所述前驅體材料層置于熱處理設備中，提供所述脈沖激光對所述前驅體材料層的表面進行掃描；其中，所述脈沖激光的頻率為100Hz～10000Hz，功率為9W～30W，激光波長為635nm～1064nm，掃描間隔為0.03mm～0.07mm，掃描速度為10mm/s～200mm/s。

3.根據權利要求2所述的含錫的多元化合物光吸收層的制備方法，其特征在于，使用所述脈沖激光對所述前驅體材料層進行2次以上的循環掃描。

4.根據權利要求3所述的含錫的多元化合物光吸收層的制備方法，其特征在于，使用所述脈沖激光對所述前驅體材料層進行2-10次的循環掃描。

5.根據權利要求2所述的含錫的多元化合物光吸收層的制備方法，其特征在于，將所述前驅體材料層置于熱處理設備中，向所述熱處理設備中通入第一氣體和第二氣體的混合氣體，再將所述前驅體材料層加熱至預定溫度，然后再所述預定溫度條件下使用所述脈沖激光對所述前驅體材料層的表面進行掃描；其中，所述第一氣體為H₂Se或H₂S氣體，所述第二氣體為氮氣或氬氣。

6.根據權利要求5所述的含錫的多元化合物光吸收層的制備方法，其特征在于，所述混合氣體中，若所述第一氣體為H₂Se，則所述混合氣體中H₂Se的體積百分比為2％～3％；若所述第一氣體為H₂S，則所述混合氣體中H₂S的體積百分比為1％～6％；所述預定溫度為300℃～400℃。

7.根據權利要求1-6任一所述的含錫的多元化合物光吸收層的制備方法，其特征在于，所述含錫的多元化合物為包含有銅、鋅、錫、硫和硒的多元化合物或者是包含有銅、鎘、鋅、錫和硒的多元化合物。

8.根據權利要求7所述的含錫的多元化合物光吸收層的制備方法，其特征在于，在真空蒸鍍設備中采用共蒸鍍法制備獲得所述含錫的多元化合物光吸收層的前驅體材料層。

9.一種光電器件的制備方法，其特征在于，所述光電器件中的光吸收層采用如權利要求1-8任一所述的含錫的多元化合物光吸收層的制備方法制備形成。

10.根據權利要求9所述的光電器件的制備方法，其特征在于，所述光電器件為薄膜太陽能電池，所述薄膜太陽能電池的制備方法包括：

S10、提供支撐襯底，在所述支撐襯底上制備形成底電極層；

S20、采用如權利要求1-8任一所述的含錫的多元化合物光吸收層的制備方法在所述底電極層上制備形成光吸收層；

S30、在所述光吸收層上制備形成硫化鎘緩沖層；

S40、在所述硫化鎘緩沖層上制備形成窗口層；

S50、在所述窗口層上制備形成頂電極層，獲得所述薄膜太陽能電池。