[發(fā)明專利]一種單端輸入的偽差分超寬帶晶體管放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110958868.2 | 申請日: | 2021-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN113659940B | 公開(公告)日: | 2022-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 洪偉;唐大偉;李澤坤;周培根 | 申請(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號: | H03F1/48 | 分類號: | H03F1/48;H03F3/19;H03F3/45 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 沈廉 |
| 地址: | 211189 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 輸入 偽差分超 寬帶 晶體管 放大器 | ||
1.一種單端輸入的偽差分超寬帶晶體管放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其特征在于,包括一路差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)、一路差分共基極結(jié)構(gòu)放大器(2),差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器的接地輸入端(3)、差分共基極結(jié)構(gòu)放大器的接地輸入端(4)直接接地,差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)的同相輸入端(7)和差分共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)的同相輸入端相連接,差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)的同相輸出端(5)和差分共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)的同相輸出端相連接;差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)的反相輸出端(6)和差分共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)的反相輸出端相連接;差分共基極結(jié)構(gòu)放大器基極(b)通過共模抑制電阻Rb(11)接偏置電壓Vbias,b(12),差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器發(fā)射極(e)通過共模抑制電阻Re(13)接偏置電壓Vbias,e(14);
位于共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)集電極和共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)發(fā)射極的三路電流通路以提供晶體管的偏置電流I1(8)、偏置電流I2(9)、偏置電流I3(10),位于共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)基極和共發(fā)射極放大器(1)發(fā)射極的兩路電壓通路以提供晶體管的偏置電壓Vbias,b(12)、偏置電壓Vbias,e(14);共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)基極和共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)發(fā)射極相接為輸入端口Vin(15),共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)集電極和共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)集電極分別為差分輸出端口Vout+(16)、差分輸出端口Vout-(17)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單端輸入的偽差分超寬帶晶體管放大器,其特征在于,所述的差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)由第三晶體管(M3)、第四晶體管(M4)共發(fā)射極構(gòu)成,第三晶體管(M3)的基極接輸入端口Vin(15),第四晶體管(M4)的基極接地(3),第三晶體管的集電極(c3)接差分輸出端口Vout+(15),第四晶體管(M4)的集電極(c4)接差分輸出端口Vout-(16)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單端輸入的偽差分超寬帶晶體管放大器,其特征在于,所述的差分共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)由第一晶體管(M1)、第二晶體管(M2)共基極構(gòu)成,第一晶體管(M1)的發(fā)射極接地(4),第二晶體管(M2)的發(fā)射極接輸入端口Vin(15),第一晶體管的集電極(c1)接差分輸出端口Vout+(15),第二晶體管的集電極(c2)接差分輸出端口Vout-(16)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的單端輸入的偽差分超寬帶晶體管放大器,其特征在于,所述的第一晶體管(M1)、第二晶體管(M2)、第三晶體管(M3)、第四晶體管(M4)為雙極結(jié)型晶體管BJT、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET、或高電子遷移率晶體管HEMT。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單端輸入的偽差分超寬帶晶體管放大器,其特征在于,所述的第一晶體管(M1)、第二晶體管(M2)、第三晶體管(M3)、第四晶體管(M4)為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET或者高電子遷移率晶體管HEMT時,針對各晶體管的電極不同命名,所述的發(fā)射極、基極、集電極對應(yīng)為源極、柵極、漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單端輸入的偽差分超寬帶晶體管放大器,其特征在于,所述位于差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)集電極和差分共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)發(fā)射極的三路電流通路的晶體管的偏置電流I1(8)、偏置電流I2(9)、偏置電流I3(10),通過電阻、晶體管提供電壓或電流偏置的元件實(shí)現(xiàn);所述位于差分共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)基極和差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)發(fā)射極的兩路電壓通路的偏置電壓Vbias,b(12)、偏置電壓Vbias,e(14),通過電阻、電感、傳輸線、變壓器、巴倫或提供電壓或電流偏置的元件實(shí)現(xiàn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單端輸入的偽差分超寬帶晶體管放大器,其特征在于,所述位于差分共基極結(jié)構(gòu)放大器(2)基極的電阻Rb(11)和差分共發(fā)射極結(jié)構(gòu)放大器(1)發(fā)射極的電阻Re(13)變更為傳輸線或能提供共模抑制功能的元件。
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