[發明專利]一種強化多氯聯苯微生物厭氧脫氯的方法

有效

• 申請號: 202110958627.8
• 申請日: 2021-08-20
• 公開（公告）號: CN113582328B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 張冬冬;李新凱;陳友華;章春芳;鄭剛;肖金星
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C02F3/00
• 分類號: C02F3/00;C02F3/34;C02F3/28;C02F101/36
• 代理公司: 北京方圓嘉禾知識產權代理有限公司 11385
• 代理人: 戴嵩瑋

1.一種強化多氯聯苯微生物厭氧脫氯的方法，由以下步驟組成：

1)將石墨電極和Ag/AgCl飽和電極置于陰極室內，將鉑絲電極置于陽極室內，所述陰極室和所述陽極室通過質子交換膜進行分隔；

所述陰極室和所述陽極室內放置有厭氧培養基；

所述陰極室的厭氧培養基中還含有待處理高氯代多氯聯苯和低電勢的有機碳源，所述低電勢的有機碳源包括乳酸、甲酸、乙酸和葡萄糖中的一種或幾種；所述陰極室的厭氧培養基中還接種有PCBs脫氯菌；所述PCBs脫氯菌包括以下組分：脫鹵擬球菌(Dehalococcoides)、脫硫弧菌(Desulfovibrio)、脫硫桿菌(Desulfitobacterium)和甲烷八疊球菌(Methanosarcina)；

2)在石墨電極上施加-0.3～-0.5V的電勢，進行脫氯反應；

所述高氯代多氯聯苯為至少五氯代多氯聯苯。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述脫鹵擬球菌(Dehalococcoides)、脫硫弧菌(Desulfovibrio)、脫硫桿菌(Desulfitobacterium)和甲烷八疊球菌(Methanosarcina)的有效活菌數的比例為(2～4)：(1～2)：(4～5)：(1～2)；所述PCBs脫氯菌的總有效活菌數為(5～6)×10⁷cfu/mL。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待處理高氯代多氯聯苯包括多氯聯苯商業混合物Aroclor 1260。

4.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述陰極室的厭氧培養基中含有的高氯代多氯聯苯的起始濃度為20～30mg/mL。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述陰極室的厭氧培養基中含有的低電勢的有機碳源的起始濃度為8～10mM。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述厭氧培養基中還包括固態腐殖質；所述固態腐殖質在厭氧培養基中的濃度為6～7g/L。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述脫氯包括第一脫氯；所述第一脫氯的時間為30～35d。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述脫氯還包括第二脫氯；所述第二脫氯的步驟包括：在所述第一脫氯后，在所述陰極室的厭氧培養基中補加高氯代多氯聯苯至高氯代多氯聯苯的濃度為20～30mg/mL進行第二脫氯；

所述第二脫氯的時間為7～12d。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述脫氯還包括第三脫氯；所述第三脫氯的步驟包括：在所述第二脫氯后，將所述陰極室內的懸浮培養物排出，在陰極室內加入改良厭氧培養基和高氯代多氯聯苯，采用陰極形成的生物膜對高氯代多氯聯苯進行第三脫氯；所述第三脫氯的時間為8～15d；所述高氯代多氯聯苯的初始濃度為20～30mg/mL；

所述改良厭氧培養基以厭氧培養基為基礎，還含有低電勢的有機碳源；所述改良厭氧培養基中低電勢的有機碳源的摩爾濃度為1～3mM。