[發明專利]低電阻率重摻磷硅單晶生產裝置及方法在審
| 申請號： | 202110958466.2 | 申請日： | 2021-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN113668048A | 公開（公告）日： | 2021-11-19 |
| 發明（設計）人： | 伊冉;王黎光;張興茂;閆龍;李小紅 | 申請（專利權）人： | 寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/04 | 分類號： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 寧夏三源鑫知識產權代理事務所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孫彥虎 |
| 地址： | 750000 寧夏回族自*** | 國省代碼： | 寧夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻率 重摻磷硅單晶 生產 裝置 方法 | ||
1.一種低電阻率重摻磷硅單晶生產裝置，包括由石英材質制成的摻雜舟，其特征在于，所述摻雜舟包括紅磷升華室及鍺熔融室，以同時向硅熔液中摻雜磷及鍺；所述紅磷升華室的頂部開設若干紅磷揮發孔，所述鍺熔融室的底部開設若干鍺滲漏微孔。
2.如權利要求1所述的低電阻率重摻磷硅單晶生產裝置，其特征在于，所述鍺滲漏微孔的孔徑≤1mm。
3.如權利要求1所述的低電阻率重摻磷硅單晶生產裝置，其特征在于，所述鍺熔融室設置于所述紅磷升華室的下方，且通過隔板隔離。
4.如權利要求3所述的低電阻率重摻磷硅單晶生產裝置，其特征在于，所述鍺熔融室的底部設置有鍺熔液導流斜坡。
5.如權利要求3所述的低電阻率重摻磷硅單晶生產裝置，其特征在于，所述紅磷升華室的上端設置有用于掛接在單晶爐籽晶重錘上的掛鉤。
6.一種低電阻率重摻磷硅單晶生產方法，其特征在于，向硅熔液中摻雜單質鍺，其中，單質鍺的摻雜量為紅磷的1/14～3/14。
7.如權利要求6所述的低電阻率重摻磷硅單晶生產方法，其特征在于，應用如權利要求1～5中任意一項所述的低電阻率重摻磷硅單晶生產裝置，其中，紅磷被放置于所述紅磷升華室中，氣化后摻雜進入硅熔液中；單質鍺被放置于所述鍺熔融室內，熔融后，由所述鍺滲漏微孔流入硅熔液中。
8.如權利要求7所述的低電阻率重摻磷硅單晶生產方法，其特征在于，用于采用24吋熱場，拉制8吋重摻磷硅單晶晶棒，其中，硅投料量為240kg，紅磷投料量為700g～1000g，單質鍺投料量為50g～150g。
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