[發明專利]一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝結構及其方法

在審

• 申請號: 202110955268.0
• 申請日: 2021-08-19
• 公開（公告）號: CN114141638A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 余亮;馬劍豪;姚陳果;董守龍
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/54;H01L23/498;H01L23/488
• 代理公司: 重慶縉云專利代理事務所(特殊普通合伙) 50237
• 代理人: 王翔

1.一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)在所述頂板漏極焊盤上印刷焊料。

2)將開關裸片(2)漏極焊接在頂板漏極焊盤上；

3)在開關裸片(2)源極和柵極位置進行金球陣列(7)鍵合；

4)在介質板(4)上印刷焊料；

5)將介質板(4)與頂板焊接；

6)對開關裸片(2)和介質板(4)之間的縫隙進行填充；

7)在頂板柵極焊盤和頂板源極焊盤之間填充阻焊層；

8)在焊盤基板(5)上印刷焊料；

9)將介質板(4)和焊盤基板(5)焊接。

2.根據權利要求1所述的一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法，其特征在于：步驟2)中，利用錫膏(3)將開關裸片(2)漏極焊接在頂板漏極焊盤上；

步驟5)中，利用錫膏(3)將介質板(4)與頂板焊接。

步驟9)中，利用錫膏(3)將介質板(4)與焊盤基板(5)焊接。

3.根據權利要求1所述的一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法，其特征在于：步驟3)中，利用金絲鍵合機分別在開關裸片(2)源極和柵極上布置金球陣列。

4.根據權利要求1所述的一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法，其特征在于：焊接方法包括回流焊工藝。

5.根據權利要求1所述的一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法，其特征在于：用于開關裸片(2)和介質板(4)之間縫隙填充的材料包括硅凝膠。

6.利用權利要求1至5任一項所述降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法制得的封裝結構，其特征在于：包括頂板、開關裸片(2)、介質板(4)、焊接基板(5)；

所述頂板包括頂板漏極焊盤、頂板柵極焊盤和頂板源極焊盤；所述頂板柵極焊盤和頂板源極焊盤之間填充有阻焊層；

所述開關裸片(2)漏極焊接在頂板漏極焊盤上；

所述開關裸片(2)柵極和源極上布置有金球陣列(7)；

所述開關裸片(2)漏極引線通過焊盤基板(5)引出，源極引線通過連接過孔(42)與頂板連接，從而令源極引線與漏極母線實現上下層對稱輸出；

所述介質板(4)的一個表面與頂板焊接，另一個表面和焊盤基板(5)焊接；

所述介質板(4)上開設有若干連接過孔(42)；

所述焊盤基板(5)的柵極、源極采用開爾文柵極、源極連接的布線設計；

所述焊盤基板(5)具有引腳(6)。

7.根據權利要求6所述的一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法制得的封裝結構，其特征在于：所述頂板包括散熱陶瓷基板(11)和散熱銅皮基板(12)；所述散熱銅皮基板(12)分別覆蓋于散熱陶瓷基板(11)的上表面和下表面。

8.根據權利要求6所述的一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法制得的封裝結構，其特征在于：還包括用于焊接開關裸片(2)漏極與頂板漏極焊盤、介質板(4)與頂板、介質板(4)與焊盤基板(5)的錫膏(3)。

9.根據權利要求6所述的一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法制得的封裝結構，其特征在于：還包括用于填充開關裸片(2)和介質板(4)之間縫隙的硅凝膠。

10.根據權利要求6所述的一種降低開關寄生電感和提升動態性能的封裝方法制得的封裝結構，其特征在于：所述開關裸片(2)所在區域的矢量方向為同心圓分布，左右兩側分別呈逆時針和順時針反向布置。