[發明專利]一種比較器及電子設備在審
| 申請號: | 202110955210.6 | 申請日: | 2021-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN113489474A | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發明(設計)人: | 曹先國 | 申請(專利權)人: | 曹先國 |
| 主分類號: | H03K5/24 | 分類號: | H03K5/24 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 蔣姍 |
| 地址: | 610097 四川省成都市高新*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 比較 電子設備 | ||
1.一種比較器,其特征在于,包括:
負載模塊;
第一開關;
第二開關;
差分對,包括第一輸入端、第二輸入端、第一負載端和第二負載端,所述第一輸入端和所述第二輸入端用于接收比較信號,所述第一輸入端通過所述第一開關與所述第二負載端連接,所述第二輸入端通過所述第二開關與所述第一負載端連接,所述第一負載端和所述第二負載端分別與所述負載模塊連接;
所述差分對用于在接收到待比較信號且所述第一開關和所述第二開關斷開時,輸出經放大的電壓信號,在所述第一開關和所述第二開關均閉合時,輸出比較結果。
2.根據權利要求1所述的比較器,其特征在于,所述差分對包括第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管和所述第二MOS管的柵極分別為第一輸入端和第二輸入端,所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏極分別為第一負載端和第二負載端;
所述第一MOS管的柵極通過所述第一開關連接所述第二MOS管的漏極,所述第二MOS管的柵極通過所述第二開關連接所述第一MOS管的漏極,所述第一MOS管的源極和所述第二MOS管的源極連接。
3.根據權利要求1所述的比較器,其特征在于,所述比較器還包括多個第三開關,所述第三開關分別與所述第一輸入端和所述第二輸入端連接,所述第三開關用于控制所述比較信號輸入至所述差分對。
4.根據權利要求3所述的比較器,其特征在于,所述第一開關和第二開關由第一時鐘信號控制,所述第三開關由第二時鐘信號控制,所述第一時鐘信號和所述第二時鐘信號為互補時鐘、反向時鐘、不交疊時鐘或部分交疊時鐘。
5.根據權利要求2所述的比較器,其特征在于,所述比較器還包括第四開關和尾電流源,所述尾電流源的一端通過與所述第一MOS管和第二MOS管的源極與所述差分對連接,所述尾電流源的另一端與所述第四開關連接,所述第四開關用于控制所述比較器的工作狀態。
6.根據權利要求2所述的比較器,其特征在于,所述比較器還包括兩個共柵偏置的MOS管,所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏極分別與所述兩個共柵偏置的MOS管的源極連接。
7.根據權利要求1所述的比較器,其特征在于,所述負載模塊包括多個MOS管和穩壓源,所述穩壓源與所述多個MOS管連接,所述多個MOS管兩兩為一對且柵極相連,依次從所述穩壓源連接至所述差分對的所述第一負載端和所述第二負載端。
8.根據權利要求1所述的比較器,其特征在于,所述負載模塊為恒流源。
9.根據權利要求1所述的比較器,其特征在于,所述差分對和所述負載模塊中的多個MOS管為雙極型晶體管、碳化硅晶體管、氮化鎵晶體管、立方晶系磷化銦晶體管、砷化鎵晶體管、場效應晶體管、結型場效應晶體管、異質結雙極晶體管或絕緣閘雙極晶體管。
10.一種電子設備,其特征在于,所述電子設備中包括權利要求1-9中任一項所述的比較器。
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