[發(fā)明專利]氫碘酸修飾的錫鉛混合鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110954343.1
• 申請(qǐng)日: 2021-08-19
• 公開（公告）號(hào): CN113725364A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳靜;羅東向;黃潤達(dá);劉霄;張夢龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;C07C209/00;C07C211/04
• 代理公司: 廣州潤禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44446
• 代理人: 鄭永泉

1.一種氫碘酸修飾的錫鉛混合鈣鈦礦太陽能電池，由上而下依次包括透明電極、空穴傳輸層、錫鉛混合鈣鈦礦層、電子傳輸層、電子阻擋層以及對(duì)電極，其特征在于，所述錫鉛混合鈣鈦礦層為在錫鉛混合鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中加入無機(jī)氫碘酸溶液后制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫碘酸修飾的錫鉛混合鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述無機(jī)氫碘酸與錫鉛混合鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中鉛離子和錫離子之和的摩爾比為(1～2):10:10。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫碘酸修飾的錫鉛混合鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，

所述透明電極的材料為摻雜ITO、FTO、AZO或ATO的一種或多種混合物的基底材料；

所述空穴傳輸層的材料為PEDOT:PSS、PTAA或Poly-TPD的一種或多種混合物；

所述錫鉛混合鈣鈦礦層的材料為MASn_xPb_1-xI₃、FASn_xPb_1-x I₃、MA_xFA_1-x Sn_yPb_1-yI3、FA_bCs_1-bSn_xPb₁-xI₃、(FASnI₃)_1-x(MAPbI₃)_x的一種或多種混合物；

所述電子傳輸層的材料為C₆₀或PC₆₁BM的一種或兩種混合物；

所述電子阻擋層為BCP或ZnO的一種或兩種混合物；

所述對(duì)電極的材料為Au、Ag或Al的一種或多種混合物。

4.一種如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述氫碘酸修飾的錫鉛混合鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1刻蝕超聲清洗透明電極；

S2在步驟S1處理后的透明電極上制備空穴傳輸層；

S3在步驟S2制備的空穴傳輸層上制備錫鉛混合鈣鈦礦層；

S4在步驟S3制備的錫鉛混合鈣鈦礦層上使用熱蒸鍍法制備電子傳輸層；

S5在步驟S4制備的電子傳輸層上使用熱蒸鍍法制備電子阻擋層；

S6在步驟S5制備的電子阻擋層上使用熱蒸鍍法制備對(duì)電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述氫碘酸修飾的錫鉛混合鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S3為將在步驟S2處理后的透明電極進(jìn)行臭氧處理，然后將添加了無機(jī)氫碘酸溶液的錫鉛混合鈣鈦礦前驅(qū)體溶液滴加至所述透明電極沉積空穴傳輸層的一面，以3000～5000r/m的旋涂速度旋涂30～60s，在旋涂結(jié)束10～15s前向所述透明電極表面滴加氯苯，旋涂結(jié)束后將所述透明電極置于100℃下退火3～5min，所述錫鉛混合鈣鈦礦層即沉積在所述透明電極的空穴傳輸層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述氫碘酸修飾的錫鉛混合鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述錫鉛混合鈣鈦礦前驅(qū)體溶液與氯苯的體積比為(4～5):(6～7)。