[發明專利]晶體生長裝置和晶體生長方法

有效

• 申請號: 202110952925.6
• 申請日: 2021-08-19
• 公開（公告）號: CN113652751B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 彭程;張潔;廖弘基;陳華榮
• 申請（專利權）人: 福建北電新材料科技有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉曾

1.一種晶體生長裝置，其特征在于，包括：

坩堝蓋（100）和坩堝體（200）；

所述坩堝體（200）包括相互配合的側壁（201）和底壁（202）；

沿所述坩堝體（200）的高度，側壁（201）包括多個壁體（211）和多個連接段（212），所述壁體（211）和所述連接段（212）依次錯開連接；

所述坩堝蓋（100）、所述底壁（202）和所述壁體（211）均由第一石墨材質（410）制成，所述連接段（212）由第二石墨材質（420）制成；且所述第一石墨材質（410）的密度大于第二石墨材質（420）的密度。

2.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于：

所述第一石墨材質（410）的密度為1.4~1.8。

3.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于：

所述第二石墨材質（420）的密度為0.9~1.1。

4.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于：

沿坩堝體（200）的高度方向，所述壁體（211）的高度大于所述連接段（212）的高度。

5.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于：

相鄰的多個所述連接段（212）之間的間距相等。

6.根據權利要求5所述的晶體生長裝置，其特征在于：

沿坩堝體（200）的高度方向，位于最下方的所述連接段（212）距離所述底壁（202）的距離為L，與多個所述連接段（212）之間的間距為Q，Q=L。

7.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于：

所述側壁（201）的外側設置有石墨碳氈保溫層（310）。

8.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于：

所述坩堝蓋（100）的頂部和/或所述底壁（202）的下部設置有碳氈保溫層（320）。

9.根據權利要求8所述的晶體生長裝置，其特征在于：

位于所述坩堝蓋（100）的頂部的碳氈保溫層（320）設置有貫穿的測溫孔（321）。

10.一種晶體生長方法，其特征在于：

提供晶體生長裝置，所述晶體生長裝置包括坩堝蓋（100）和坩堝體（200），所述坩堝蓋（100）設置有籽晶挾持部，所述籽晶挾持部上結合有籽晶；

所述坩堝體（200）包括相互配合的側壁（201）和底壁（202），所述側壁（201）設置在所述底壁（202）上以形成筒狀結構；沿所述坩堝體（200）的高度，側壁（201）包括多個壁體（211）和多個連接段（212），所述壁體（211）和所述連接段（212）依次錯開連接；所述坩堝蓋（100）、所述底壁（202）和所述壁體（211）均由第一石墨材質（410）制成，所述連接段（212）由第二石墨材質（420）制成；且所述第一石墨材質（410）的密度大于第二石墨材質（420）的密度；

在所述坩堝體（200）內裝填SiC原料粉料后，將所述坩堝蓋（100）蓋合到所述坩堝體（200）上，在長晶爐中進行晶體生長，其中，晶體生長的條件為，

通入N₂，將壓力控制在第一壓力且維持第一時間后；

再通入氬氣、N₂混合氣體，將壓力控制在第二壓力且維持第二時間，第二壓力小于第一壓力。