[發(fā)明專利]一種旋磁嵌入式微帶環(huán)行器

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110949992.2
• 申請日: 2021-08-18
• 公開（公告）號: CN113745784A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張楠;劉振祥;余杰
• 申請（專利權(quán)）人: 北京無線電測量研究所
• 主分類號: H01P1/387
• 分類號: H01P1/387
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 李遠(yuǎn)思

本發(fā)明的一個實施例公開了一種旋磁嵌入式微帶環(huán)行器，包括：合金底板、旋磁基片、第一介質(zhì)基板、第二介質(zhì)基板、陶瓷墊片和永磁體；所述第二介質(zhì)基板上設(shè)置有貫穿其上下表面的通孔，所述旋磁基片內(nèi)嵌于第二介質(zhì)基板的通孔中；所述旋磁基片的下表面和第二介質(zhì)基板的下表面都固定于合金底板的上表面；第二介質(zhì)基板的上表面與第一介質(zhì)基板的下表面粘接；第一介質(zhì)基板的上表面設(shè)置有微帶電路圖案；第二介質(zhì)基板及旋磁基片的下表面設(shè)置有連續(xù)的金屬膜。本發(fā)明通過將介質(zhì)基片分層，把微帶電路置于上層介質(zhì)基片表面，不需要通過復(fù)雜的異質(zhì)材料集成工藝即可有效的解決旋磁基片與介質(zhì)基片分離后過渡處微帶電路不連續(xù)的問題，實現(xiàn)了微波信號的連續(xù)傳輸。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微波器件技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，涉及一種旋磁嵌入式微帶環(huán)行器。

背景技術(shù)

環(huán)行器在微波收發(fā)系統(tǒng)中能夠?qū)崿F(xiàn)微波信號發(fā)射和接收的同時，對反向傳輸?shù)奈⒉ㄐ盘栠M(jìn)行隔離，起到穩(wěn)定和保護(hù)微波發(fā)射電路的作用。隨著微波系統(tǒng)向高集成度方向發(fā)展，微帶環(huán)行器因其平面化、小型化的結(jié)構(gòu)特點，成為環(huán)行器的一個重要分支，廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、微波通信和微波測量等領(lǐng)域。

目前，絕大多數(shù)的微帶環(huán)行器都是將單一的旋磁材料作為基片，基片的下表面沉積有連續(xù)的金屬薄膜，基片的上表面制備有微帶電路圖形。其中，旋磁材料既參與微波信號的環(huán)行，又充當(dāng)匹配微帶線中的匹配介質(zhì)。為了實現(xiàn)環(huán)行器的小型化，提高基片的介電常數(shù)是一個重要手段。然而，在保證基片旋磁性能的前提下，旋磁材料基片的介電常數(shù)通常不超過20。這種情況下，旋磁材料的介電參數(shù)會限制微帶環(huán)行器中匹配電路尺寸的壓縮，不利于微帶環(huán)行器的小型化。

此外，高性能微波集成電路對環(huán)行器的寬帶化、高功率、低損耗等性能都提出了更高的要求，而將旋磁材料與匹配微帶線底部的材料分離是實現(xiàn)上述高性能指標(biāo)的一個重要技術(shù)手段。但是，由此帶來的問題即是兩種異質(zhì)材料在制作器件時，面臨過渡處微帶線不連續(xù)的問題，導(dǎo)致微波信號無法傳輸，因此有必要尋求有效的方法來解決此問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種旋磁嵌入式微帶環(huán)行器。以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題中的至少一個。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供一種旋磁嵌入式微帶環(huán)行器，包括：

合金底板、旋磁基片、第一介質(zhì)基板、第二介質(zhì)基板、陶瓷墊片和永磁體；

所述第二介質(zhì)基板上設(shè)置有貫穿其上下表面的通孔，所述旋磁基片內(nèi)嵌于第二介質(zhì)基板的通孔中；

所述旋磁基片的下表面和第二介質(zhì)基板的下表面都固定于合金底板的上表面；

所述第二介質(zhì)基板的上表面與第一介質(zhì)基板的下表面粘接；所述第一介質(zhì)基板的上表面設(shè)置有微帶電路圖案；所述第二介質(zhì)基板及旋磁基片的下表面設(shè)置有連續(xù)的金屬膜。

在一個具體實施例中，

所述旋磁基片的下表面和第二介質(zhì)基板的下表面通過膠接或焊接的方式固定于合金底板的上表面。

在一個具體實施例中，

所述陶瓷墊片的下表面通過膠接固定于第一介質(zhì)基板上表面。

在一個具體實施例中，

所述永磁體的下表面通過膠接固定于陶瓷墊片的上表面

在一個具體實施例中，

所述第一介質(zhì)基板和第二介質(zhì)基板由微波陶瓷材料或半導(dǎo)體材料制成。

在一個具體實施例中，

所述第二介質(zhì)基板上的通孔采用干/濕法刻蝕加工、激光加工或機械鉆孔加工的方式實現(xiàn)。

在一個具體實施例中，