[發明專利]一種具有環形阻隔帶的籽晶及其加工方法

有效

• 申請號: 202110948696.0
• 申請日: 2021-08-18
• 公開（公告）號: CN113652748B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 張九陽;李霞;王永方;王路平;張紅巖;高超;李祥皓;左康廷;蘇麗娜
• 申請（專利權）人: 山東天岳先進科技股份有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00;B28D5/00;B28D5/04;B24B37/00;B24B37/005
• 代理公司: 北京君慧知識產權代理事務所(普通合伙) 11716
• 代理人: 馮妙娜

1.一種具有環形阻隔帶的籽晶，其特征在于，所述籽晶生長面具有一個環形阻隔帶；

所述環形阻隔帶區域內生長的目標晶體的缺陷密度為X，所述環形阻隔帶區域外生長的晶體的缺陷密度為Y，所述X小于Y，所述環形阻隔帶的深度為5-30μm，所述環形阻隔帶的寬度為10-20μm，所述環形阻隔帶的截面寬度隨所述環形阻隔帶的深度的增加逐漸減小；

所述缺陷密度包括位錯和/或晶界。

2.根據權利要求1所述的具有環形阻隔帶的籽晶，其特征在于，所述環形阻隔帶與所述籽晶共中心，所述環形阻隔帶距離所述籽晶邊緣的距離不小于1mm。

3.根據權利要求2所述的具有環形阻隔帶的籽晶，其特征在于，所述環形阻隔帶距離所述籽晶邊緣的距離不小于3mm。

4.根據權利要求1所述的具有環形阻隔帶的籽晶，其特征在于，所述籽晶為圓形。

5.根據權利要求1所述的具有環形阻隔帶的籽晶，其特征在于，所述環形阻隔帶的深度為12-18μm，所述環形阻隔帶的寬度為12-17μm。

6.根據權利要求1-5任一項所述的具有環形阻隔帶的籽晶，其特征在于，

所述籽晶的尺寸不小于100mm。

7.一種權利要求1-6中任一項所述的具有環形阻隔帶的籽晶的加工方法，其特征在于，包括下述步驟：

1)準備階段：提供加工裝置，所述加工裝置包括承載籽晶的支撐平臺和與所述籽晶生長面相對設置的刻刀；

2)加工階段：所述刻刀沿所述籽晶生長面的周向運動，并對所述籽晶生長面施加50-90g/cm²的壓力，以使得所述籽晶生長面的周向形成環形凹槽；

3)后處理階段：將制得具有環形凹槽的籽晶進行包括研磨、拋光步驟，即制得具有環形阻隔帶的籽晶。

8.根據權利要求7所述的加工方法，其特征在于，所述研磨、拋光步驟中，對所述籽晶生長面的去除厚度為10-20μm。

9.根據權利要求8所述的加工方法，其特征在于，所述研磨、拋光步驟中，對所述籽晶生長面的去除厚度為10-15μm。

10.根據權利要求7所述的加工方法，其特征在于，所述加工階段，所述刻刀沿所述籽晶周向的運動速度為5-10mm/min；和/或

所述刻刀對所述籽晶生長面施加壓力的同時進行旋轉，所述刻刀的旋轉速度為150-750r/min。

11.根據權利要求10所述的加工方法，其特征在于，所述加工階段，所述刻刀沿所述籽晶周向的運動速度為6-7mm/min；

所述刻刀的旋轉速度為350-400r/min。

12.根據權利要求10所述的加工方法，其特征在于，所述刻刀傾斜設置，所述刻刀與所述籽晶的夾角為100°-150°。

13.根據權利要求12所述的加工方法，其特征在于，所述刻刀與所述籽晶的夾角為100°-120°。

14.根據權利要求7所述的加工方法，其特征在于，所述加工裝置還包括與所述籽晶生長面相對設置的環形滑軌，所述環形滑軌通過電磁控制機構中的電磁鐵與所述刻刀連接，所述電磁控制機構能夠帶動所述刻刀沿所述環形滑軌移動；

所述電磁控制機構通過控制電磁鐵產生的磁力實現與所述刻刀的吸合與分離，以調整所述加工階段中所述刻刀對所述籽晶生長面施加的壓力。

15.根據權利要求14所述的加工方法，其特征在于，所述刻刀為圓臺形，所述環形阻隔帶的截面寬度隨所述環形阻隔帶的深度的增加逐漸減小。