[發明專利]形成微電子裝置的方法以及相關微電子裝置、存儲器裝置和電子系統

在審

• 申請號: 202110947592.8
• 申請日: 2021-08-18
• 公開（公告）號: CN114078784A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: R·A·本森;D·科隆博;李巖;T·B·麥克丹尼爾;V·奈爾;S·博爾薩里
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

1.一種形成微電子裝置的方法，其包括：

在導電屏蔽結構和水平鄰近于所述導電屏蔽結構的第一介電結構中的每一個上方形成導電屏蔽材料；

形成處于第一介電結構上且水平鄰近于所述導電屏蔽材料的第二介電結構；

圖案化所述導電屏蔽材料和所述第二介電結構以形成在第一水平方向上彼此平行延伸的鰭片結構，所述鰭片結構中的每一個包括：

兩個介電末端結構，其與所述第二介電結構的剩余部分成一體；以及

額外導電屏蔽結構，其在所述第一水平方向上插入在所述兩個介電末端結構之間；且

形成第一導電線，所述第一導電線在所述第一水平方向上彼此平行延伸且在與所述第一水平方向正交的第二水平方向上與所述鰭片結構水平交替。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括形成介電間隔件結構，所述介電間隔件結構包括水平插入在所述第一導電線與所述鰭片結構之間的上部部分以及豎直插入在所述第一導電線與所述導電屏蔽結構之間的下部部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其進一步包括使所述介電間隔件結構的所述下部部分形成到所述介電間隔件結構的所述上部部分中的每一個在所述第二水平方向上的水平寬度的至少兩倍的豎直高度。

4.根據權利要求2所述的方法，其中形成所述介電間隔件結構以及形成所述第一導電線包括：

在所述鰭片結構上方及之間形成介電間隔件材料，所述介電間隔件材料部分地填充在所述第二水平方向上插入在所述鰭片結構之間的溝槽；

在所述介電間隔件材料上方形成導電材料，所述導電材料基本上填充所述溝槽的未由所述介電間隔件材料占據的部分；以及

去除所述介電間隔件材料和所述導電材料的豎直上覆于所述鰭片結構的部分，以由所述介電間隔件材料形成所述介電間隔件結構且由所述導電材料形成所述第一導電線。

5.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的方法，其進一步包括：

在所述導電屏蔽材料上形成介電封蓋材料；以及

圖案化所述介電封蓋材料同時圖案化所述導電屏蔽材料和所述第二介電結構以形成所述鰭片結構，所述鰭片結構中的每一個形成為進一步包括由其所述額外導電屏蔽結構上的所述介電封蓋材料形成的介電封蓋結構。

6.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的方法，其中形成處于所述第一介電結構上且水平鄰近于所述導電屏蔽材料的第二介電結構包括：

去除所述導電屏蔽材料的接近于所述導電屏蔽材料的外部水平邊界的一部分，以形成豎直延伸穿過所述導電屏蔽材料到所述第一介電結構的凹槽；以及

在豎直延伸穿過所述導電屏蔽材料的所述凹槽內形成所述第二介電結構。

7.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的方法，其進一步包括在形成所述第二介電結構之前，形成豎直處于所述導電屏蔽材料與所述導電屏蔽結構和所述第一介電結構中的每一個之間的導電蝕刻終止結構。

8.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的方法，其中圖案化所述導電屏蔽材料和所述第二介電結構包括：

在所述第二介電結構和所述導電屏蔽材料上方形成遮蔽結構；

在所述遮蔽結構上方形成間隔件結構，所述間隔件結構通過溝槽彼此分隔開且具有對應于待形成的所述鰭片結構的所述第二水平方向上的寬度的所述第二水平方向上的寬度；

形成處于所述遮蔽結構上方且至少部分地水平重疊所述第二介電結構的額外遮蔽結構；以及

將至少部分地由所述間隔件結構和所述額外遮蔽結構限定的圖案轉印到所述第二介電結構和所述導電屏蔽材料中。

9.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的方法，其進一步包括：

在所述第一導電線上方形成第二導電線，所述第二導電線在所述第二水平方向上彼此平行延伸；

在所述第一導電線上方形成存取裝置，所述存取裝置與所述第一導電線和所述第二導電線耦合；以及

形成處于所述存取裝置上方且與所述存取裝置耦合的存儲節點結構。