[發明專利]一種基于高純鍺探測器的輻射劑量率測量系統及方法

在審

• 申請號: 202110946420.9
• 申請日: 2021-08-18
• 公開（公告）號: CN113466915A
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 張蘇雅拉吐;王德鑫;黃美容;白力嘎
• 申請（專利權）人: 內蒙古民族大學
• 主分類號: G01T1/02
• 分類號: G01T1/02;G01T1/36
• 代理公司: 北京盛詢知識產權代理有限公司 11901
• 代理人: 劉靜

1.一種基于高純鍺探測器的輻射劑量率測量系統，其特征在于，包括：測量單元、模擬單元、對比分析單元、數據處理單元；

所述測量單元、模擬單元、對比分析單元依次相連；所述測量單元還與所述對比分析單元相連；所述模擬單元還與所述數據處理單元相連；

所述測量單元用于對輻射源的能譜進行能譜測量實驗，獲得所述輻射源的真實能譜；

所述模擬單元用于對能譜測量實驗進行蒙特卡洛模擬，獲得所述輻射源的模擬能譜，所述模擬單元還基于參數優化后的蒙特卡洛模擬實驗在不同能量下對所述輻射源進行模擬，獲得所述輻射源的連續能譜；

所述對比分析單元用于對比并分析所述真實能譜和所述模擬能譜，并對所述蒙特卡洛模擬實驗進行參數優化；

所述數據處理單元用于根據所述連續能譜進行能譜劑量轉換，基于所述能譜劑量轉換獲得輻射劑量率。

2.根據權利要求1所述的基于高純鍺探測器的輻射劑量率測量系統，其特征在于，所述測量單元包括供壓模塊、測量模塊、放大模塊；

所述供壓模塊、測量模塊、放大模塊依次相連；所述放大模塊還與所述對比分析單元相連；

所述測量模塊用于進行能譜測量實驗；

所述供壓模塊用于為所述測量模塊提供電壓；

所述放大模塊用于對所述測量模塊測量到的結果進行放大處理。

3.根據權利要求2所述的基于高純鍺探測器的輻射劑量率測量系統，其特征在于，所述測量模塊包括HPULB4S鉛室和高純鍺探測器；所述高純鍺探測器置于所述HPULB4S鉛室中。

4.根據權利要求3所述的基于高純鍺探測器的輻射劑量率測量系統，其特征在于，所述模擬單元包括第一模擬模塊和第二模擬模塊；所述測量模塊、第一模擬模塊、第二模擬模塊依次相連；所述第二模擬模塊還與所述數據處理單元相連；

所述第一模擬模塊用于對能譜測量實驗進行蒙特卡洛模擬，獲得所述輻射源的模擬能譜；

所述第二模擬模塊基于參數優化后的蒙特卡洛模擬實驗在不同能量下對所述輻射源進行模擬，獲得所述輻射源的連續能譜。

5.根據權利要求3所述的基于高純鍺探測器的輻射劑量率測量系統，其特征在于，所述供壓模塊采用Ortec-659高壓插件；所述放大模塊采用Ortec672光譜放大器；所述Ortec-659高壓插件通過所述高純鍺探測器與所述Ortec672光譜放大器相連。

6.根據權利要求5所述的基于高純鍺探測器的輻射劑量率測量系統，其特征在于，所述對比分析單元包括儲存模塊、對比分析模塊、參數優化模塊；所述儲存模塊、對比分析模塊、參數優化模塊依次相連；所述儲存模塊還與所述Ortec672光譜放大器相連；所述參數優化模塊還與所述數據處理單元相連；

所述儲存模塊用于儲存所述真實能譜和所述模擬能譜；

所述對比分析模塊用于對所述真實能譜和所述模擬能譜進行對比分析；

所述參數優化模塊用于對所述蒙特卡洛模擬實驗進行參數優化。

7.根據權利要求6所述的基于高純鍺探測器的輻射劑量率測量系統，其特征在于，所述儲存模塊采用EASY-MCA-8K-CH脈沖高度分析器；所述EASY-MCA-8K-CH脈沖高度分析器與所述Ortec672光譜放大器相連。

8.根據權利要求4所述的基于高純鍺探測器的輻射劑量率測量系統，其特征在于，所述數據處理單元包括轉換模塊；所述轉換模塊與所述第二模擬模塊相連；

所述轉換模塊用于將所述輻射源的連續能譜轉換為輻射劑量率。