[發明專利]半導體封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110945983.6
• 申請日: 2021-08-18
• 公開（公告）號: CN113394177A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 趙良;陳松
• 申請（專利權）人: 瑞能半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 娜拉

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：

散熱基板；

絕緣基板，所述絕緣基板設于所述散熱基板上，所述絕緣基板包括絕緣片以及分別設于所述絕緣片兩側的第一導電體以及第二導電體，所述第一導電體朝向所述散熱基板設置；

半導體芯片，所述半導體芯片設于所述絕緣基板背離所述散熱基板的一側，且所述半導體芯片的第一連接端與所述第二導電體電性連接；

金屬支架，所述金屬支架包括相互連接的引線框架以及連接結構，所述連接結構與所述半導體芯片的第二連接端以及第三連接端接觸連接，且所述連接結構與所述第二導電體接觸連接；

封裝結構，所述封裝結構包圍所述散熱基板、絕緣基板、半導體芯片以及連接結構，所述引線框架的輸出端從所述封裝結構的一側伸出。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述引線框架包括第一引腳、第二引腳，所述連接結構包括第一連接片、第二連接片，所述第一連接片與所述第一引腳電性連接，所述第二連接片與所述第二引腳電性連接，所述第一連接片與所述半導體芯片的第二連接端接觸連接，所述第二連接片與所述半導體芯片的第三連接端接觸連接。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣基板在所述散熱基板上的正投影覆蓋所述半導體芯片在所述散熱基板上的正投影，所述第二導電體的一部分朝向所述金屬支架露出。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述引線框架包括第三引腳，所述連接結構包括第三連接片，所述第三連接片與所述第三引腳電性連接，所述第三連接片與所述第二導電體接觸連接。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣片使用陶瓷、橡膠、聚酰亞胺中的任意一種材料制成，所述第二導電體包括銅、鋁、金中的任意一種。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣基板為雙面覆銅陶瓷片。

7.一種半導體封裝結構的制造方法，其特征在于，用于制作如權利要求1-6中任一項所述的半導體封裝結構，所述制造方法包括如下步驟：

取散熱基板以及絕緣基板，將所述絕緣基板的第一導電體與所述散熱基板連接；

取半導體芯片，將半導體芯片的一側與所述絕緣基板背離所述散熱基板的一側連接，且所述絕緣基板的第二導電體與所述半導體芯片的第一連接端接觸連接；

取金屬支架，將所述金屬支架的連接結構與所述半導體芯片的第二連接端以及第三連接端接觸連接，且所述連接結構與所述第二導電體接觸連接；

取封裝結構，將所述封裝結構包圍所述散熱基板、絕緣基板、半導體芯片以及連接結構，并將引線框架的輸出端從所述封裝結構的一側伸出。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝結構的制造方法，其特征在于，在所述半導體芯片安裝至所述絕緣基板上的步驟中，所述第二導電體的一部分朝向所述金屬支架露出。

9.根據權利要求7所述的半導體封裝結構的制造方法，其特征在于，所述半導體芯片的第一連接端與所述第二導電體之間通過焊接連接，所述連接結構與所述半導體芯片的第二連接端以及第三連接端接觸通過焊接連接，所述連接結構與所述第二導電體通過焊接連接，所述焊接的材料為錫膏，所述焊接的方式為點焊。

10.根據權利要求7-9中任一項所述的半導體封裝結構的制造方法，其特征在于，所述散熱基板、絕緣基板、半導體芯片以及金屬支架連接完成后，進行烘烤固化，然后進行所述封裝結構的安裝。