[發(fā)明專利]一種粉體電芯固態(tài)高分子電容器及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110945257.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113611538A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尹志華;李良;尹超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳江浩電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01G9/042 | 分類號(hào): | H01G9/042;H01G9/045;H01G9/025;H01G9/055;H01G9/012;H01G9/00;H01G9/08;H01G13/00 |
| 代理公司: | 深圳漢世知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44578 | 代理人: | 田志立 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 粉體電芯 固態(tài) 高分子 電容器 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種粉體電芯固態(tài)高分子電容器及其制造方法,包括粉體電芯、高分子聚合物層、金屬鋁殼、以及封裝于金屬鋁殼一端的封裝蓋板;其中,所述粉體電芯由有機(jī)粉末與鋁粉摻雜混合并高溫碳化后所得,粉體電芯包括有鋁粉顆粒以及由有機(jī)粉末碳化得到的活性碳顆粒;所述鋁粉顆粒的鋁晶界中滲透有碳晶體的碳須,多個(gè)鋁粉顆粒之間具有不規(guī)則的間隙,鋁粉顆粒的表面形成有氧化膜;所述高分子聚合物層設(shè)置在粉體電芯與金屬鋁殼之間,高分子聚合物層的表面設(shè)置負(fù)極箔。本發(fā)明粉體電芯固態(tài)高分子電容器及其制造方法可大大提升電容器的性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種粉體電芯固態(tài)高分子電容器及其制造方法。
背景技術(shù)
電容器具有儲(chǔ)備電能并瞬間釋放的功能,是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件。電容廣泛應(yīng)用于電源濾波、信號(hào)濾波、信號(hào)耦合、諧振、隔直流等電路中,為現(xiàn)代電子技術(shù)的迅猛發(fā)展做出不可磨滅的貢獻(xiàn),還廣泛應(yīng)用于家電產(chǎn)品及電腦等電子設(shè)備,是電器電子業(yè)界不可替代的電子部件。
在電容器中,鋁電解電容器是最常用的器件,鋁電解電容器一般包括有陽極箔、陰極箔以及電解紙,陽極箔、陰極箔以及電解紙卷繞在一起形成電容器芯包。目前,陽極箔大多采用的是腐蝕箔,腐蝕箔雖然可以增加陽極箔的表面積,但是增加的面積有限,對(duì)鋁電解電容器最終的性能提升有限。
隨著粉末冶金技術(shù)趨于成熟,在眾多的金屬零部件粗胚制取工藝中均有使用,一般都是單質(zhì)金屬或者是合金金屬,且加工工藝成熟,粉末被擠壓成型后,于高溫真空中煅燒至結(jié)晶狀態(tài)或晶界趨于穩(wěn)定狀態(tài),再降溫精加工,工藝高效且高質(zhì)量,附加值高。因此,若能將此加工工藝結(jié)合到鋁電解電容器的電極生產(chǎn)中,則將大大提升鋁電解電容器的性能。
以上背景技術(shù)內(nèi)容的公開僅用于輔助理解本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思及技術(shù)方案,其并不必然屬于本專利申請(qǐng)的現(xiàn)有技術(shù),在沒有明確的證據(jù)表明上述內(nèi)容在本專利申請(qǐng)的申請(qǐng)日已經(jīng)公開的情況下,上述背景技術(shù)不應(yīng)當(dāng)用于評(píng)價(jià)本申請(qǐng)的新穎性和創(chuàng)造性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種粉體電芯固態(tài)高分子電容器及其制造方法,以解決上述背景技術(shù)問題中的至少一種問題。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
一種粉體電芯固態(tài)高分子電容器,包括粉體電芯、高分子聚合物層、金屬鋁殼、以及封裝于金屬鋁殼一端的封裝蓋板;其中,所述粉體電芯由有機(jī)粉末與鋁粉摻雜混合并高溫碳化后所得,粉體電芯包括有鋁粉顆粒以及由有機(jī)粉末碳化得到的活性碳顆粒;所述鋁粉顆粒的鋁晶界中滲透有碳晶體的碳須,多個(gè)鋁粉顆粒之間具有不規(guī)則的間隙,鋁粉顆粒的表面形成有氧化膜;所述高分子聚合物層設(shè)置在粉體電芯與金屬鋁殼之間,高分子聚合物層的表面設(shè)置負(fù)極箔。
在一些實(shí)施例中,所述高分子聚合物層包括有導(dǎo)電高分子材料顆粒,所述導(dǎo)電高分子材料顆粒以沉浸式包覆在活性炭顆粒與鋁粉顆粒外面,并與金屬鋁殼鍵合成為固體負(fù)極。
在一些實(shí)施例中,所述粉體電芯還包括有導(dǎo)電金屬導(dǎo)針,導(dǎo)電金屬導(dǎo)針包括有鋁舌以及引出導(dǎo)針,所述鋁舌埋設(shè)在所述鋁粉顆粒中,所述引出導(dǎo)針用于作為電容器的正極。
在一些實(shí)施例中,所述鋁粉顆粒的表面形成有氧化膜,鋁粉顆粒的大小為3nm-0.5mm。
在一些實(shí)施例中,所述鋁粉顆粒大于所述活性碳顆粒,所述活性碳顆粒大于所述導(dǎo)電高分子材料顆粒。
在一些實(shí)施例中,所述負(fù)極箔為腐蝕箔、碳須箔或者超級(jí)電容極板。
本發(fā)明實(shí)施例另一技術(shù)方案為:
一種粉體電芯固態(tài)高分子電容器的制造方法,包括如下步驟:
S1、提供粉體電芯,其中所述粉體電芯為將有機(jī)粉末與鋁粉進(jìn)行摻雜混合,并真空高溫碳化所得;
S2、進(jìn)行電化學(xué)賦能,得到電芯本體;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳江浩電子有限公司,未經(jīng)深圳江浩電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110945257.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





