[發(fā)明專利]角落或側(cè)邊接觸的無沖擊力固晶方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110944509.1 | 申請日： | 2021-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN114695151A | 公開（公告）日： | 2022-07-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 盧彥豪 | 申請（專利權(quán)）人： | 梭特科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/603 | 分類號： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;曹娜 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 角落 側(cè)邊 接觸 沖擊力 方法 | ||
1.一種角落或側(cè)邊接觸的無沖擊力固晶方法，其特征在于，包括下列步驟：
(a)一固晶裝置拾取一晶粒，所述晶粒的表面無錫球且無銅柱；
(b)所述固晶裝置將所述晶粒移動至一基板的一晶粒放置區(qū)的一側(cè)，所述基板的表面無錫球且無銅柱；
(c)所述固晶裝置通過一正壓吹拂所述晶粒的一角落或一側(cè)邊，使得所述晶粒的所述角落或所述側(cè)邊撓曲變形以接觸所述晶粒放置區(qū)；
(d)所述晶粒的所述角落或所述側(cè)邊在接觸所述晶粒放置區(qū)以后形成一貼合波，所述貼合波從所述晶粒的所述角落往其對角擴展或從所述晶粒的所述側(cè)邊往其相對側(cè)擴展，使得所述晶粒逐漸脫離所述固晶裝置并且固定于所述晶粒放置區(qū)上；以及
(e)所述晶粒完全固定于所述晶粒放置區(qū)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟(a)中，所述固晶裝置的多個角落或多個側(cè)邊和/或中心通過一負壓吸附所述晶粒的多個角落或多個側(cè)邊和/或中心，以固定所述晶粒，并且拾取所述晶粒；
在所述步驟(b)中，所述固晶裝置的多個角落或多個側(cè)邊和/或中心持續(xù)通過負壓吸附所述晶粒的多個角落或多個側(cè)邊和/或中心，以固定所述晶粒；
在所述步驟(c)中，所述固晶裝置的一角落或一側(cè)邊通過所述負壓吸附所述晶粒的一角落或一側(cè)邊切換成通過所述正壓吹拂所述晶粒的所述角落或所述側(cè)邊，所述固晶裝置的其余角落或其余側(cè)邊和/或中心仍維持通過所述負壓吸附所述晶粒的其余角落或其余側(cè)邊和/或中心；
在所述步驟(d)中，所述固晶裝置的所述角落往其對角的部分通過所述負壓吸附所述晶粒的所述角落往其對角的部分依序切換成通過正壓吹拂所述晶粒的所述角落往其對角的部分，或所述固晶裝置的所述側(cè)邊往其相對側(cè)的部分通過所述負壓吸附所述晶粒的所述側(cè)邊往其相對側(cè)的部分依序切換成通過所述正壓吹拂所述晶粒的所述側(cè)邊往其相對側(cè)的部分，使得所述晶粒的所述角落往其對角或所述晶粒的所述側(cè)邊往其相對側(cè)依序被所述正壓吹拂以產(chǎn)生一壓力差波動，所述壓力差波動能夠讓所述晶粒的所述角落或所述側(cè)邊在接觸所述晶粒放置區(qū)以后形成所述貼合波，并且引導(dǎo)所述貼合波從所述晶粒的所述角落往其對角擴展或從所述晶粒的所述側(cè)邊往其相對側(cè)擴展，使得所述晶粒逐漸脫離所述固晶裝置并且固定于所述晶粒放置區(qū)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述固晶裝置具有多個氣孔，所述多個氣孔連接一真空裝置及一氣體供應(yīng)裝置，所述真空裝置對所述多個氣孔抽氣以產(chǎn)生真空并且提供所述負壓，所述負壓通過所述多個氣孔吸附所述晶粒，所述氣體供應(yīng)裝置對所述多個氣孔吹氣以產(chǎn)生氣流并且提供所述正壓，所述正壓通過所述多個氣孔吹拂所述晶粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述固晶裝置具有兩個氣孔，所述兩個氣孔分別貫穿所述固晶裝置的底面的兩個角落，且所述兩個角落為對角。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述固晶裝置具有四個氣孔，所述四個氣孔分別貫穿所述固晶裝置的底面的四個角落。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述固晶裝置具有六個氣孔，所述六個氣孔的其中四個分別貫穿所述固晶裝置的底面的四個角落，所述六個氣孔的另外二個分別貫穿所述固晶裝置的底面的相對二側(cè)邊且分別位于所述四個角落的其中兩個角落之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述固晶裝置具有九個氣孔，所述九個氣孔的其中四個分別貫穿所述固晶裝置的底面的四個角落，所述九個氣孔的另外四個分別貫穿所述固晶裝置的底面的四個側(cè)邊且分別位于所述四個角落之間，所述九個氣孔的另外一個貫穿所述固晶裝置的底面的中心。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述固晶裝置的底面形成一凹槽，所述凹槽的面積小于所述晶粒的面積，所述多個氣孔與所述凹槽相通。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述固晶裝置的底面形成一凹槽并且凸設(shè)多個凸塊，所述多個凸塊位于所述凹槽中，所述多個凸塊與所述固晶裝置的底面位于同一平面。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
