[發明專利]一種異質結太陽能電池及其制作方法、異質結光伏組件在審
| 申請號: | 202110943834.6 | 申請日: | 2021-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN113659045A | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發明(設計)人: | 錢洪強;張樹德;符欣;連維飛 | 申請(專利權)人: | 蘇州騰暉光伏技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/20 | 分類號: | H01L31/20;H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王曉坤 |
| 地址: | 215500 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 異質結 太陽能電池 及其 制作方法 異質結光伏 組件 | ||
1.一種異質結太陽能電池制作方法,其特征在于,包括:
獲得正面和背面均沉積有非晶硅膜層的硅片;
在位于所述正面的所述非晶硅膜層的表面沉積TCO膜層;
將所述硅片翻轉180度,并在位于所述背面的所述非晶硅膜層的表面沿邊緣覆蓋掩膜;其中,所述掩膜的寬度在0.05mm~0.5mm之間,包括端點值;
在覆蓋有所述掩膜的所述非晶硅膜層的表面沉積TCO膜層;
分別在位于所述正面和所述背面的TCO膜層的表面制作電極,得到異質結太陽能電池。
2.如權利要求1所述的異質結太陽能電池制作方法,其特征在于,在所述獲得正面和背面均沉積有非晶硅膜層的硅片之前,還包括:
獲得所述硅片;
在所述硅片的所述正面和所述背面分別沉積本征非晶硅膜層;
在位于所述正面的所述非晶硅膜層的表面沉積p型非晶硅膜層;
在位于所述背面的所述非晶硅膜層的表面沉積n型非晶硅膜層。
3.如權利要求2所述的異質結太陽能電池制作方法,其特征在于,在所述獲得所述硅片之后,還包括:
對所述硅片進行雙面制絨處理。
4.如權利要求1至3任一項所述的異質結太陽能電池制作方法,其特征在于,在所述分別在位于所述正面和所述背面的TCO膜層的表面制作電極之后,還包括:
進行EL測試和IV曲線測試,篩選出不合格的異質結太陽能電池。
5.一種異質結太陽能電池,其特征在于,所述異質結太陽能電池采用如權利要求1至4任一項所述的異質結太陽能電池制作方法制得。
6.一種異質結光伏組件,其特征在于,包括由下至上依次層疊的第一基板、第一膠膜層、電池層、第二膠膜層、第二基板,其中,所述電池層包括多片如權利要求5所述的異質結太陽能電池。
7.如權利要求6所述的異質結光伏組件,其特征在于,所述第一膠膜層和所述第二膠膜層均為EVA膠膜層。
8.如權利要求6所述的異質結光伏組件,其特征在于,所述第一膠膜層為抗隱裂膠膜層。
9.如權利要求6所述的異質結光伏組件,其特征在于,所述第一基板為玻璃基板。
10.如權利要求6至9任一項所述的異質結光伏組件,其特征在于,所述第二基板的側面為向所述電池層傾斜的斜面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





