[發明專利]一種摻銩BGSO人眼安全激光晶體及其制備方法

在審

• 申請號: 202110942567.0
• 申請日: 2021-08-17
• 公開（公告）號: CN113699582A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 徐家躍;馬振振;陳媛芝;邵躍欽
• 申請（專利權）人: 上海應用技術大學
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/22;H01S3/16
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 翁若瑩

1.一種摻銩硅鍺酸鉍激光晶體，其特征在于，所述摻銩BGSO人眼安全激光晶體的分子式為(Tm_xBi_1-x)₄(Ge_ySi_1-y)₃O₁₂，其中，x的取值范圍為0.005-0.15，y的取值范圍為0.1-0.9。

2.權利要求1所述的摻銩硅鍺酸鉍激光晶體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1)：將Tm₂O₃、Bi₂O₃、GeO₂、SiO₂粉末按照分子式的配比進行稱重；

步驟2)：將所有粉末充分研磨，混合均勻，然后燒結，得到燒結物料，將燒結物料研磨均勻后，再次燒結，得到摻銩硅鍺酸鉍多晶料；

步驟3)：將硅酸鉍或鍺酸鉍籽晶放入坩堝的種阱部位并固定，將摻銩硅鍺酸鉍多晶料裝進坩堝中并封好，移入引下管；

步驟4)：將引下管置于晶體爐內，在10～25h內將晶體爐升溫至1050～1100℃，并保溫2～5h；

步驟5)：逐漸提升引下管，待坩堝內的多晶料完全熔化后，保溫2～4h；

步驟6)：以0.2～0.5mm/h的速度下降引下管，進行晶體生長，得到所述摻銩硅鍺酸鉍激光晶體。

3.如權利要求2所述的摻銩硅鍺酸鉍激光晶體的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中Tm₂O₃、Bi₂O₃、GeO₂、SiO₂粉末的純度均不低于99.99％。

4.如權利要求2所述的摻銩硅鍺酸鉍激光晶體的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中，第一次燒結的溫度為700～750℃，保溫2～4h；第二次燒結的溫度為800～900℃，保溫4～6h。

5.如權利要求2所述的摻銩硅鍺酸鉍激光晶體的制備方法，其特征在于，所述步驟3)中硅酸鉍或鍺酸鉍籽晶的取向為100，110和111中的至少一種；硅酸鉍或鍺酸鉍籽晶的形狀為圓柱體或長方體。

6.如權利要求2所述的摻銩硅鍺酸鉍激光晶體的制備方法，其特征在于，所述步驟3)中坩堝的形狀為圓柱體或長方體。

7.如權利要求2所述的摻銩硅鍺酸鉍激光晶體的制備方法，其特征在于，所述步驟4)中晶體爐內設置多根引下管，同時生長多根晶體。