[發明專利]基片處理方法和基片處理裝置

在審

• 申請號: 202110942163.1
• 申請日: 2021-08-17
• 公開（公告）號: CN114108084A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 香川興司;關口賢治;米澤周平;鈴木大介;竹澤由裕;松原義久
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/02;C30B1/02;H01L21/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理方法，其特征在于：

所述基片處理方法通過熱處理使硅膜結晶并使結晶成長，包括：

在進行所述熱處理前，保持形成有所述硅膜的基片的保持工序；和

附著工序，其通過對在所述保持工序中保持的所述基片供給含金屬的溶液，使所述金屬以1.0×10¹⁰[原子/cm²]以上且1.0×10²⁰[原子/cm²]以下的范圍內的附著量附著在所述硅膜的表面。

2.如權利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

所述附著工序在對所述基片供給所述含金屬的溶液之前，用稀釋液對所述溶液進行稀釋以調整所述溶液中所含的金屬的濃度。

3.如權利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述附著工序用多個稀釋液階段性地稀釋所述溶液以調整所述溶液中所含的金屬的濃度。

4.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述溶液中所含的金屬的濃度在10[ppm]以上且10000[ppm]以下的范圍內。

5.如權利要求1～4中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括使所述硅膜的表面親水化的親水化工序，

所述附著工序在所述親水化工序中使所述硅膜的表面親水化后的狀態下，對所述基片供給所述含金屬的溶液。

6.如權利要求1～5中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述附著工序在所述基片上注滿所述含金屬的溶液，之后，將所述含金屬的溶液甩掉。

7.如權利要求1～6中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述附著工序對所述基片供給在所述含金屬的溶液中混合了有機溶劑而得到的混合液。

8.如權利要求7所述的基片處理方法，其特征在于：

所述附著工序對所述基片工供給在所述含金屬的溶液中混合了有機溶劑而得到的混合液以成為100nm以上的膜厚。

9.如權利要求1～8中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述溶液中所含的金屬包含Ni、Pd、Ag、Au、Sn、Sb、Cu、Cd、Al、Co、Pt、Mo、Ti、W和Cr中的至少一者。

10.如權利要求1～9中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括調整工序，其在所述附著工序后，通過對所述基片供給清洗液，來調整所述硅膜的表面中的所述金屬的附著量。

11.如權利要求1～10中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括在所述附著工序后，清洗所述基片的邊緣斜面部的邊緣斜面部清洗工序。

12.如權利要求1～11中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括在所述附著工序后，清洗所述基片的背面的背面清洗工序。

13.如權利要求1～12中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括在進行了所述熱處理后，除去殘留在所述硅膜的表面上的金屬的除去工序。

14.一種基片處理裝置，其特征在于：

所述基片處理裝置能夠在通過熱處理使硅膜結晶并使結晶成長的基片處理方法中使用，包括：

用于保持基片的保持部；

用于對基片供給含金屬的溶液的供給部；和

控制所述保持部的工作和所述供給部的工作的控制部，

所述控制部執行：

在進行所述熱處理前，保持形成有所述硅膜的基片的保持工序；和

附著工序，其通過對在所述保持工序中保持的所述基片供給含金屬的溶液，使所述金屬以1.0×10¹⁰[原子/cm²]以上且1.0×10²⁰[原子/cm²]以下的范圍內的附著量附著在所述硅膜的表面。