[發(fā)明專利]基于爆米花基多孔炭材料電極的制備方法及其用途在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110941735.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113582302A | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余靜;蒙日桂;吳秉寰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 揚(yáng)州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C02F1/469 | 分類號(hào): | C02F1/469;C01B32/348;C01B32/318 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102 | 代理人: | 董旭東 |
| 地址: | 225009 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 爆米花 基多 材料 電極 制備 方法 及其 用途 | ||
1.一種基于爆米花基多孔炭材料電極的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1)將玉米粒放入微波爐內(nèi)進(jìn)行微波膨化至焦碳狀,獲得成爆米花炭片;
步驟2)將爆米花炭片與化學(xué)活化劑研磨混合;所述化學(xué)活化劑為KHCO3;爆米花炭片與化學(xué)活化劑按質(zhì)量比為1:(3-5);
步驟3)將混合物置于管式爐內(nèi),在氮?dú)獾臍夥障律郎兀簧郎厮俾蕿?-5℃/min,升溫至750-850℃,保溫時(shí)間為1.5-2.5h;形成爆米花多孔炭;
步驟4)將步驟3)處理后的爆米花多孔炭研磨成粉末狀,先用鹽酸洗滌爆米花多孔炭,再用去離子水清洗爆米花多孔炭至電中性,將爆米花多孔炭置于烘箱內(nèi)烘干;
步驟5)將泡沫鎳置于無(wú)水乙醇中,并超聲清洗,清洗干凈后放入干燥箱中烘干;
步驟6)取爆米花多孔炭、導(dǎo)電炭黑和聚偏氟乙烯置于N-甲基吡咯烷酮中完全混合,得電極漿液;所述爆米花多孔炭、導(dǎo)電炭黑、聚偏氟乙烯及N-甲基吡咯烷酮的質(zhì)量比為(8-10):1:1:(4-6);
步驟7)用涂膜器將電極漿液均勻涂覆在泡沫鎳表面;涂抹厚度0.3-0.5mm;然后在真空干燥箱中烘干,得到爆米花基多孔炭材料電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于爆米花基多孔炭材料電極的制備方法,其特征在于,步驟2)中所述爆米花炭片與化學(xué)活化劑按質(zhì)量比1:4研磨混合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于爆米花基多孔炭材料電極的制備方法,其特征在于,步驟4)中的鹽酸為1M鹽酸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于爆米花基多孔炭材料電極的制備方法,其特征在于,步驟6)中所述爆米花多孔炭、導(dǎo)電炭黑、聚偏氟乙烯及N-甲基吡咯烷酮的質(zhì)量比為8:1:1:4.9。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于爆米花基多孔炭材料電極的制備方法,其特征在于,各物質(zhì)的用量為爆米花多孔炭 0.8 g,導(dǎo)電炭黑 0.1 g,聚偏氟乙烯0.1 g和N-甲基吡咯烷酮6ml混合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于爆米花基多孔炭材料電極的用途,其特征在于,所述爆米花基多孔炭材料電極安裝于電容去離子裝置中,作為脫鹽用的電極使用。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于揚(yáng)州大學(xué),未經(jīng)揚(yáng)州大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110941735.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





