[發(fā)明專利]用于硅光子學(xué)的集成半導(dǎo)體光放大器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110941378.1
• 申請(qǐng)日: 2021-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN114205000A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·洪;R·庫馬爾;M·N·薩基卜;H·榮;K·阮;M·黃;A·埃夫特哈爾;C·馬盧因;S·阿米拉利扎德阿瑟;S·法托洛洛米;L·廖;Y·阿庫洛娃;O·多孫穆;A·劉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H04B10/516
• 分類號(hào): H04B10/516;H04B10/60;H04B10/40;G02B6/12
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝

1.一種硅光子集成裝置，包括：

輸入端，所述輸入端用于接收光信號(hào)；

分離器，所述分離器光學(xué)耦合到所述輸入端，以將所述光信號(hào)分離到第一路徑和第二路徑中；

偏轉(zhuǎn)分束器和旋轉(zhuǎn)器(PBSR)，所述偏轉(zhuǎn)分束器和旋轉(zhuǎn)器與所述第一路徑或所述第二路徑光學(xué)耦合；

半導(dǎo)體光放大器(SOA)，所述半導(dǎo)體光放大器與所述第一路徑或所述第二路徑光學(xué)耦合并且設(shè)置在所述分離器與所述PBSR之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：

調(diào)制器，所述調(diào)制器光學(xué)耦合到所述第一路徑和所述第二路徑，其中，所述調(diào)制器設(shè)置在所述分離器與所述PBSR之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述SOA設(shè)置在所述分離器與所述調(diào)制器之間，以放大從所述第一路徑和/或所述第二路徑接收的光。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述SOA設(shè)置在所述調(diào)制器與PRBC之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述SOA是設(shè)置在所述分離器與所述調(diào)制器之間的第一SOA；并且

還包括設(shè)置在所述調(diào)制器與PRBC之間的第二SOA。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述SOA包括磷化銦(InP)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述SOA是混合SOA。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述SOA由所述裝置的晶圓上的硅波導(dǎo)限定。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述第一路徑承載光的X偏振，并且所述第二路徑承載光的Y偏振。

10.根據(jù)權(quán)利要求2至9中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述調(diào)制器包括多個(gè)分支；并且還包括：所述SOA設(shè)置在所述多個(gè)分支中的一個(gè)分支中。

11.一種相干接收器裝置，包括：

輸入端，所述輸入端用于接收光信號(hào)；

PBSR，所述PBSR光學(xué)耦合到所述輸入端，以將所述光信號(hào)分離到X路徑和Y路徑中；

SOA，所述SOA與所述X路徑或所述Y路徑耦合，以放大所述信號(hào)；以及

光電探測器，所述光電探測器與所述SOA的輸出端耦合。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述光電探測器還包括多個(gè)光電探測器。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述SOA與所述X路徑和所述Y路徑耦合，以放大所述信號(hào)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述SOA包括InP。

15.根據(jù)權(quán)利要求11-14中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述SOA是接合到硅晶圓上的單片外延介質(zhì)。

16.一種激光裝置，包括：

激光部件，所述激光部件具有第一端和與所述第一端相對(duì)的第二端，所述激光部件從所述激光部件的所述第二端發(fā)射光；

背吸收器，所述背吸收器與所述激光部件的所述第一端光學(xué)耦合；

SOA的第一端，所述SOA的所述第一端與所述激光部件的所述第二端光學(xué)耦合，以放大從所述激光部件的所述第二端發(fā)射的所述光；以及

輸出端，所述輸出端與所述SOA的第二端耦合，所述SOA的所述第二端與所述SOA的所述第一端相對(duì)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中，所述激光部件是III-V/Si混合激光器。