[發(fā)明專利]基于超材料表面的全介質(zhì)太赫茲傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110940220.2 | 申請(qǐng)日： | 2021-08-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113624349B | 公開（公告）日： | 2022-06-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 方明;康美軍;馮健;徐珂;肖志成;程榮生;劉星晨;黃志祥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 安徽大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01J5/20 | 分類號(hào)： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 江蘇長德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32478 | 代理人： | 馮娟 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 材料 表面 介質(zhì) 赫茲 傳感器 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.基于超材料表面的全介質(zhì)太赫茲傳感器，其特征在于，該傳感器包括敏感元件以及與其相連接的熱敏電路，所述敏感元件由摻雜導(dǎo)電材料的圓柱半導(dǎo)體構(gòu)成，用以改變圓柱半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，進(jìn)而吸收太赫茲波段的電磁波，該傳感器的尺寸為微米，所述摻雜的導(dǎo)電材料具體為硼，所述圓柱半導(dǎo)體的半徑為95-110um，高度在85-95um；
其中，所述摻雜導(dǎo)電材料的圓柱半導(dǎo)體的制備工藝，包括以下步驟：1)鍍膜前預(yù)處理：選用氮化硅圓柱體作為基體并進(jìn)行鍍膜前預(yù)處理；2)濺射：以氬氣作為濺射氣體，在對(duì)基體施加偏壓的條件下，對(duì)導(dǎo)電材料硼靶進(jìn)行磁控共濺射，在基體上沉積摻雜硼的氮化硅薄膜；3)退火：在氮?dú)鈿怏w下，對(duì)沉積有摻雜硼的基體進(jìn)行光熱退火處理，保溫1-2h；4)冷卻：緩慢冷卻后獲得穩(wěn)定摻雜硼的氮化硅薄膜。
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