[發(fā)明專利]膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110940092.1 | 申請(qǐng)日： | 2016-07-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113652043B | 公開（公告）日： | 2023-02-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金村崇;向井惠吏;硲武史;小谷哲浩;小松信之;仲村尚子;橫谷幸治;立道麻有子;檜垣章夫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大金工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C08L27/18 | 分類號(hào)： | C08L27/18;C08J5/18;H01G4/18 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 龐東成;孟偉青 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 膜 | ||
1.一種膜，其特征在于，在頻率1kHz、30℃下的相對(duì)介電常數(shù)為8以上，
根據(jù)下式由在頻率1kHz、30℃下的相對(duì)介電常數(shù)A與在頻率1kHz、150℃下的相對(duì)介電常數(shù)B計(jì)算出的變化率為-8％～+8％，
該膜包含熔點(diǎn)為180℃以上的含氟聚合物，且該含氟聚合物包含全部共聚單元的10摩爾％～49摩爾％的偏二氟乙烯單元，
該膜不包含高介電性無機(jī)顆粒，
變化率(％)＝(B－A)/A×100。
2.如權(quán)利要求1所述的膜，其中，在頻率1kHz、30℃下的相對(duì)介電常數(shù)為8～12。
3.如權(quán)利要求1所述的膜，其中，該膜的厚度為1μm～100μm。
4.如權(quán)利要求2所述的膜，其中，該膜的厚度為1μm～100μm。
5.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的膜，其中，該膜為高介電性膜或壓電膜。
6.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的膜，其中，該膜用于膜電容器、電潤(rùn)濕器件、或壓電面板。
7.如權(quán)利要求5所述的膜，其中，該膜用于膜電容器、電潤(rùn)濕器件、或壓電面板。
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