[發(fā)明專利]帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)和制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110938359.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113636521A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃黎;丁希聰;凌方舟;劉堯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美新半導(dǎo)體(天津)有限公司 |
| 主分類號(hào): | B81B7/00 | 分類號(hào): | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01D11/24;G01D11/26 |
| 代理公司: | 蘇州簡(jiǎn)理知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32371 | 代理人: | 龐聰雅 |
| 地址: | 300450 天津市自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)(*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 帶腔體 器件 氣密 封裝 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)和制造方法,其中,帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體部件;蓋板;鍵合層,其位于半導(dǎo)體部件和蓋板之間,以將半導(dǎo)體部件和蓋板鍵合在一起;第一腔體,其位于半導(dǎo)體部件和蓋板之間,且被鍵合層圍繞并被完全密封;第二腔體,其位于半導(dǎo)體部件和蓋板之間,且第二腔體位于第一腔體的一側(cè),第二腔體被鍵合層圍繞并被部分密封;連通第二腔體并未被鍵合層完全密封的連通孔;薄膜層,用于密封連通孔,使第二腔體被完全密封。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明可以將不同工作氣壓和/或不同氣體成分要求的MEMS器件封裝在同一片晶圓上,實(shí)現(xiàn)多MEMS器件的集成。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明屬于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微機(jī)電系統(tǒng))器件領(lǐng)域,尤其涉及一種帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)和制造方法,其可以將不同工作氣壓要求和/或不同氣體成分要求的MEMS封裝在同一片晶圓上。
【背景技術(shù)】
類似于集成電路IC,MEMS傳感器和執(zhí)行器也在朝著高性能、小型化和低成本并集成化的方向發(fā)展。傳統(tǒng)的封裝方法采用單一的氣體密封氣壓,而不同類型的MEMS器件其理想工作氣壓不同,如對(duì)于MEMS加速度計(jì),為了保持高的性能及可靠性,其工作氣壓較高。而對(duì)于MEMS陀螺儀為保證高靈敏度和低功耗,其工作氣壓較低。目前的封裝方式在同一晶圓上封裝不同類MEMS器件時(shí),不能滿足不同氣壓的封裝要求。
因此,有必要提出一種技術(shù)方案來(lái)克服上述問(wèn)題。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明的目的之一在于提供一種帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)和制造方法,其可以將不同工作氣壓、相同或不同氣體成分要求的MEMS器件封裝在同一片晶圓上,實(shí)現(xiàn)多MEMS器件的集成,減小傳感系統(tǒng)的尺寸降低制造成本。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,本發(fā)明提供一種帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu),其包括:半導(dǎo)體部件;蓋板;鍵合層,其位于所述半導(dǎo)體部件和蓋板之間,以將所述半導(dǎo)體部件和蓋板鍵合在一起;第一腔體,其位于所述半導(dǎo)體部件和蓋板之間,且被所述鍵合層圍繞并被完全密封;第二腔體,其位于所述半導(dǎo)體部件和蓋板之間,且所述第二腔體位于所述第一腔體的一側(cè),所述第二腔體被所述鍵合層圍繞并被部分密封;連通所述第二腔體并未被所述鍵合層完全密封的連通孔;薄膜層,用于密封所述連通孔,使所述第二腔體被完全密封。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面,本發(fā)明提供一種帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其包括:提供半導(dǎo)體部件和蓋板;在第一封裝環(huán)境下,將所述半導(dǎo)體部件和蓋板鍵合在一起,此時(shí),在所述半導(dǎo)體部件和蓋板之間形成第一腔體和第二腔體,所述第一腔體被完全密封;所述第二腔體通過(guò)連通孔與外界相連通;在第二封裝環(huán)境下,在鍵合在一起的所述半導(dǎo)體部件和蓋板的表面沉積薄膜層,以將所述連通孔密封,從而使所述第二腔體被完全密封。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明首先對(duì)半導(dǎo)體部件和蓋板進(jìn)行鍵合,以對(duì)第一腔體進(jìn)行完全密封,對(duì)第二腔體進(jìn)行部分密封,第二腔體通過(guò)連通孔與外部環(huán)境連通;然后,再密封該連通孔,以實(shí)現(xiàn)對(duì)第二腔體的完全密封,其中,第一腔體和第二腔體除氣壓不同外,氣體的種類也可以不同,這可通過(guò)調(diào)整封裝環(huán)境氣體氣壓和成分來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣,本發(fā)明可以將不同工作氣壓、相同或不同氣體成分要求的MEMS器件封裝在同一片晶圓上,實(shí)現(xiàn)多MEMS器件的集成,減小傳感系統(tǒng)的尺寸降低制造成本。
【附圖說(shuō)明】
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:
圖1為本發(fā)明在一個(gè)實(shí)施例中提供的半導(dǎo)體部件100的部分縱剖面圖;
圖2a為本發(fā)明在一個(gè)實(shí)施例中提供的蓋板210的部分俯視圖;
圖2b為本發(fā)明在一個(gè)實(shí)施例中如圖2a所示的蓋板沿中間線201的部分縱剖面圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于美新半導(dǎo)體(天津)有限公司,未經(jīng)美新半導(dǎo)體(天津)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110938359.3/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





