[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202110935615.3
• 申請日: 2021-08-16
• 公開（公告）號: CN114373733A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 施江林;陳志宏;章思堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強

本公開提供一種半導體元件及其制備方法。該半導體元件具有一基底、一電容接觸點結構以及一著陸墊層。該電容接觸點結構從該基底突伸。該著陸墊層覆蓋該電容接觸點結構的一上表面的一部分以及該電容接觸點結構的一側壁的一上部。

本發明主張2020年10月15日申請的美國正式申請案第17/071,444號的優先權及益處，該美國正式申請案的內容以全文引用的方式并入本發明中。

技術領域

本公開涉及一種半導體元件及其制備方法。尤其涉及一種具有一突出接觸點的半導體元件及其制備方法。

背景技術

半導體元件使用在不同的電子應用，例如個人電腦、手機、數字相機，或其他電子設備。半導體元件的尺寸逐漸地變小，以符合計算能力所逐漸增加的需求。然而，在尺寸變小的工藝期間，增加不同的問題，且如此的問題在數量與復雜度上持續增加。因此，仍然持續著在達到改善品質、良率、效能與可靠度以及降低復雜度方面的挑戰。

上文的“現有技術”說明僅提供背景技術，并未承認上文的“現有技術”說明公開本公開的標的，不構成本公開的現有技術，且上文的“現有技術”的任何說明均不應作為本發明的任一部分。

發明內容

本發明的目的在于提出一種半導體元件及其制備方法，以解決上述至少一個問題。

本公開的一實施例提供一種半導體元件，包括一基底；一電容接觸點結構，從該基底突伸；以及一著陸墊層，覆蓋該電容接觸點結構的一上表面的一部分以及該電容接觸點結構的一側壁的一上部。

在一些實施例中，該半導體元件還包括一位元線結構，位于該基底上以及位于該電容接觸點結構旁邊。該位元線結構的一上表面位于一垂直位面處，該垂直位面低于該電容接觸點結構的該上表面的一垂直位面。

在一些實施例中，該半導體元件還包括一位元線間隙子，位于該電容接觸點結構與該位元線結構之間。該位元線間隙子的一上表面大致與該位元線結構的該上表面為共面。

在一些實施例中，該位元線結構包括一位元線下導電層、一位元線中間導電層、一位元線上導電層以及一位元線罩蓋層，該位元線下導電層位于該基底上，該位元線中間導電層位于該位元線下導電層上，該位元線上導電層位于該位元線中間導電層上，該位元線罩蓋層位于該位元線上導電層上。

在一些實施例中，該電容接觸點結構包括一電容接觸點下導電層、一電容接觸點中間導電層以及一電容接觸點上導電層，該電容接觸點下導電層從該基底突伸，該電容接觸點中間導電層位于該電容接觸點下導電層上，該電容接觸點上導電層位于該電容接觸點中間導電層上，而該著陸墊層覆蓋該電容接觸點上導電層的一上表面的一部分以及該電容接觸點上導電層的一側壁的一上部。

在一些實施例中，該電容接觸點下導電層包含多晶硅(polycrystallinesilicon)、多晶鍺(polycrystalline germanium)或是多晶硅鍺(polycrystallinesilicon germanium)，該電容接觸點中間導電層包含硅化鈷(cobalt silicide)、硅化鎳(nickel silicide)、硅化鎳鉑(nickel platinum silicide)或硅化鉭(tantalumsilicide)，以及該電容接觸點上導電層包含氮化鈦(titanium nitride)或氮化鉭(tantalum nitride)。

在一些實施例中，該電容接觸點結構的一下表面位于一垂直位面處，該垂直位面低于該位元線間隙子的一下表面的一垂直位面。

在一些實施例中，該半導體元件還包括一位元線接觸點，位于該位元線下導電層之下。

在一些實施例中，該位元線間隙子的一下表面大致與該位元線接觸點的一下表面為共面。

在一些實施例中，該半導體元件還包括多個源極/漏極區，位于該位元線接觸點與該電容接觸點結構之下。