[發(fā)明專利]一種可實現(xiàn)光學(xué)定向隱身的PT對稱Octonacci序列光子多層結(jié)構(gòu)

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• 申請日: 2021-08-16
• 公開（公告）號: CN113687450A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張亞平
• 申請（專利權(quán)）人: 湖北科技學(xué)院
• 主分類號: G02B1/00
• 分類號: G02B1/00;G02F1/01
• 代理公司: 咸寧鴻信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 42249
• 代理人: 劉喜

1.一種可實現(xiàn)光學(xué)定向隱身的PT對稱Octonacci序列光子多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括關(guān)于中心呈PT對稱的兩個Octonacci序列光子多層，Octonacci序列在數(shù)學(xué)上是一種準(zhǔn)周期序列，其迭代規(guī)則為：當(dāng)N＝1時，S₁＝A；當(dāng)N＝2時，S₂＝B；當(dāng)N≥3時，S_N＝S_N-1S_N-2S_N-1，其中下標(biāo)N為序列的序數(shù)；滿足Octonacci序列的光子多層中的字母A和B代表兩種折射率不等的均勻電介質(zhì)薄片；

PT對稱Octonacci序列光子多層的中心點左側(cè)的第一電介質(zhì)層A和第二電介質(zhì)層B分別稱之為第一損耗電介質(zhì)層和第二增益電介質(zhì)層，中心點右側(cè)的第一電介質(zhì)層B'和第二電介質(zhì)層A'分別稱之為第二損耗電介質(zhì)層和第一增益電介質(zhì)層，n_a＝n_A+0.01qi，n_a'＝n_A-0.01qi，n_b＝n_B-0.01qi，n_b'＝n_B+0.01qi，其中i為虛數(shù)單位，q為增益-損耗因子，n_A為第一電介質(zhì)層折射率的實部，n_B為第二電介質(zhì)層折射率的實部，n_a是第一損耗電介質(zhì)層(A)的折射率，n_b是第二增益電介質(zhì)層(B)的折射率，n_a'是第一增益電介質(zhì)層(A')的折射率，n_b'是第二損耗電介質(zhì)層(B')的折射率；

第一電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層的厚度均為各自的1/4光學(xué)波長；整個PT對稱Octonacci序列光子多層結(jié)構(gòu)的材料折射率關(guān)于中心原點滿足對稱性n(z)＝n*(-z)，其中z為位置坐標(biāo)，符號*表示求復(fù)共軛，即折射率實部關(guān)于結(jié)構(gòu)中心點呈偶對稱分布，折射率虛部關(guān)于結(jié)構(gòu)中心點呈奇對稱分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種可實現(xiàn)光學(xué)定向隱身的PT對稱Octonacci序列光子多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電介質(zhì)層的基質(zhì)材料為二氧化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種可實現(xiàn)光學(xué)定向隱身的PT對稱Octonacci序列光子多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電介質(zhì)層的基質(zhì)材料為硅。