[發明專利]一種改善反向恢復特性的超結MOSFET器件在審
| 申請號： | 202110934445.7 | 申請日： | 2021-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN113611749A | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發明（設計）人： | 陳雪萌;王艷穎;錢曉霞;湯藝 | 申請（專利權）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州九洲專利事務所有限公司 33101 | 代理人： | 陳琦;陳繼亮 |
| 地址： | 201800*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 反向 恢復 特性 mosfet 器件 | ||
1.一種改善反向恢復特性的超結MOSFET器件，包括超結MOSFET器件本體，其特征在于：所述超結MOSFET器件本體包括N+襯底層及交替布置排列在N+襯底層上的若干P柱和N柱，N+襯底層的底部設置有漏極；所述P柱和N柱的頂部設置有一層N外延層，該N外延層上設置有與所述P柱位置和數量對應的P型體區，超結MOSFET器件本體內部分區域的P柱向上延伸并形成外延P柱，該外延P柱穿過N外延層并與對應位置的P型體區連接以保持相同電位；所述P型體區的頂部設置有一層介質層，介質層的頂部設置有分別與P柱及外延P柱位置對應的源極金屬層及第一金屬層，介質層內設置有柵極及與P型體區數量對應且貫穿設置在P型體區與源極金屬層或P型體區與第一金屬層之間的連接孔，所述外延P柱與原胞的源極金屬層之間串聯有一個或若干個二極管，該二極管與對應側的源極金屬層及第一金屬層之間設置有連接孔。
2.根據權利要求1所述的改善反向恢復特性的超結MOSFET器件，其特征在于：所述二極管正向串聯或反向串聯在外延P柱與原胞的源極金屬層之間，即所述二極管為PNPN二極管或NPNP二極管。
3.根據權利要求1或2所述的改善反向恢復特性的超結MOSFET器件，其特征在于：所述介質層靠近外延P柱一側的頂部設置有場氧化層，所述二極管布置在所述場氧化層上或布置在N外延層內。
4.根據權利要求3所述的改善反向恢復特性的超結MOSFET器件，其特征在于：所述超結MOSFET器件本體內的P柱和N柱由多次外延注入形成或由深溝槽刻蝕外延填充形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海道之科技有限公司，未經上海道之科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110934445.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：用于IV無針連接器的消毒帽
- 下一篇：一種基于大數據的智慧化城市防澇系統
- 同類專利
- 專利分類
