[發(fā)明專利]一種高絕緣電阻率高介微波陶瓷材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110934268.2 | 申請(qǐng)日： | 2021-08-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113636839B | 公開（公告）日： | 2023-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宋蓓蓓;楊魁勇;張偉鵬;程華容;齊世順;趙偉利 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京元六鴻遠(yuǎn)電子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C04B35/465 | 分類號(hào)： | C04B35/465;C04B35/49 |
| 代理公司： | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人： | 張瑞雪 |
| 地址： | 100071 北京市豐臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 絕緣 電阻率 微波 陶瓷材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種高絕緣電阻率高介微波陶瓷材料，其特征在于，所述微波陶瓷材料的原料包含以下重量百分比的組分：
主料70~90wt%、副料Bi2O3-TiO2 3.5~21wt%、副料La2O3-TiO2 5~8wt%、改性添加劑0~1.3wt%；所述改性添加劑包含MnO和ZrO2，所述改性添加劑的添加量不為0；
其中，所述主料是在CaTiO3的基礎(chǔ)上，引入了SrO和SiO2，所述主料的結(jié)構(gòu)式為(1-x)CaO-xSrO-TiO2-ySiO2，0.01≤x≤0.06，0≤y≤0.04。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高絕緣電阻率高介微波陶瓷材料，其特征在于，所述主料中0.05≤x≤0.06，0.01≤y≤0.02。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高絕緣電阻率高介微波陶瓷材料，其特征在于，所述改性添加劑為氧化物、碳酸鹽中的一種或兩種的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高介微波陶瓷材料，其特征在于，所述MnO重量百分含量為0.1~0.6wt%，所述ZrO2重量百分含量為0.4~0.7wt%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一所述的一種高絕緣電阻率高介微波陶瓷材料的制備方法，其特征在于，包含以下步驟：
S1：將主料、副料以及改性添加劑混合至球磨罐中；
S2：于S1中的球磨罐中加入球磨介質(zhì)和去離子水進(jìn)行球磨，球磨時(shí)間為5~10h，然后依次經(jīng)過干燥、過篩后，得到微波陶瓷材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高絕緣電阻率高介微波陶瓷材料的制備方法，其特征在于，將CaO的前驅(qū)體、SrO的前驅(qū)體、TiO2的前驅(qū)體和SiO2的前驅(qū)體按照比例混合均勻，進(jìn)行球磨、烘干、過篩后，于1100~1200℃條件下煅燒2~5h，制得主料(1-x)CaO-xSrO-TiO2-ySiO2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高絕緣電阻率高介微波陶瓷材料的制備方法，其特征在于，所述CaO的前驅(qū)體為CaO、Ca(OH)2、CaCO3中的一種或多種的混合物；
所述SrO的前驅(qū)體為SrO、Sr(OH)2、SrCO3中的一種或多種的混合物；
所述TiO2的前驅(qū)體為TiO2、TiCl4中的一種或兩種的混合物；
所述SiO2的前驅(qū)體為SiO2、H2SiO3中的一種或兩種的混合物。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京元六鴻遠(yuǎn)電子科技股份有限公司，未經(jīng)北京元六鴻遠(yuǎn)電子科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110934268.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
