[發明專利]一種切割封裝基板單元的方法

在審

• 申請號: 202110933983.4
• 申請日: 2021-08-12
• 公開（公告）號: CN113838751A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 陳先明;譚洪衛;馮磊;黃本霞;洪業杰
• 申請（專利權）人: 珠海越亞半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/48
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李翔;鮑勝如

本發明公開一種切割封裝基板單元的方法，包括如下步驟：準備臨時承載板；在所述臨時承載板的至少一側上形成第一線路層和銅柱層以及覆蓋所述第一線路層和所述銅柱層的介電層，并減薄所述介電層以暴露出所述銅柱層，其中所述銅柱層包括犧牲銅柱和導通銅柱，所述犧牲銅柱位于切割道上且沿高度方向貫穿所述介電層，所述導通銅柱位于所述第一線路層上；在所述介電層的上表面上形成第二線路層，所述第一線路層和所述第二線路層通過所述導通銅柱導通連接；移除所述臨時承載板；對所述第一線路層的表面進行蝕刻防護處理；在所述第二線路層上貼裝器件；在所述介電層的上表面上施加保護層，以保護所述第二線路層、所述銅柱層和所述器件；蝕刻所述犧牲銅柱。

技術領域

本發明涉及封裝基板切割技術領域，具體涉及一種切割封裝基板單元的方法。

背景技術

隨著電子產品功能越來越多，體積越來越小，對封裝基板要求厚度更加的輕薄，封裝的器件也越來越多。目前對于超薄封裝基板或者超薄封裝單元的切割，一般直接采用金剛石刀片切割或者激光切割，沿著預設的切割道進行切割分離。

目前用于超薄封裝基板或者超薄封裝單元的切割方法通常會遇到以下技術問題：1、對封裝基板直接切割時，由于封裝基板厚度薄，切割時往往會導致薄基板出現裂紋，使得切割精度較差，并且影響封裝良率；2、對超薄封裝基板塑封后的薄封裝體進行切割時，容易因為封裝體的翹曲度過大或者翹曲應力過大，導致超出切割機臺的操作極限，增加切割機臺的操作難度，并且在切割過程中容易發生偏移，損壞產品和造成刀片變形；3、現有技術切割異形基板單元時需要使用特殊構造的切割機臺，導致生產線適配困難，顯著增加生產成本。

發明內容

本發明的實施方案涉及提供一種切割封裝基板單元的方法，以解決上述技術問題。本發明通過在封裝基板的制造過程中，在切割道上制作犧牲銅柱，使得可通過對敘述銅柱的蝕刻實現單元分離，或者對切割道進行預切割處理，通過蝕刻犧牲銅柱后暴露出經過預切割處理的切割道，其通過簡單地機械分離即可實現單元分離。由此，本發明能夠獲得任意形狀且切割面平滑的單一封裝單元；可以避免傳統切割流程中由于切割過程中應力的產生導致的介電層剝離，提高封裝良率；無需切割機臺，消除由于切割機臺導致的故障，特別適合異形基板單元的切割需求，顯著降低生產成本。

本發明第一方面涉及一種切割封裝基板單元的方法，包括如下步驟：

(a)準備臨時承載板；

(b)在所述臨時承載板的至少一側上形成第一線路層和銅柱層以及覆蓋所述第一線路層和所述銅柱層的介電層，并減薄所述介電層以暴露出所述銅柱層，其中所述銅柱層包括犧牲銅柱和導通銅柱，所述犧牲銅柱位于切割道上且沿高度方向貫穿所述介電層，所述導通銅柱位于所述第一線路層上；

(c)在所述介電層的上表面上形成第二線路層，所述第一線路層和所述第二線路層通過所述導通銅柱導通連接；

(d)移除所述臨時承載板；

(e)對所述第一線路層的表面進行蝕刻防護處理；

(f)在所述第二線路層上貼裝器件；

(g)在所述介電層的上表面上施加保護層，以保護所述第二線路層、所述銅柱層和所述器件；

(h)蝕刻所述犧牲銅柱。

在一些實施方案中，所述銅柱層包括至少一個導通銅柱和至少一個犧牲銅柱。

在一些實施方案中，所述犧牲銅柱和所述導通銅柱的頂端分別與所述介電層的上表面平齊。

在一些實施方案中，步驟(b)包括：

(b1)在所述臨時承載板的至少一側上施加第一光刻膠層，曝光顯影形成第一特征圖案；

(b2)在所述第一特征圖案中沉積銅形成第一線路層；