[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110931828.9
• 申請日: 2021-08-13
• 公開（公告）號: CN113745217A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 林志軒;陳璽中;廖志騰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體結構，包括：

襯底，具有第一表面；

導電區，位于所述襯底中；

第一絕緣層，位于所述第一表面上方；

第二絕緣層，位于所述第一絕緣層上方；

柵極結構，位于所述襯底的所述第一表面上方并且被所述第一絕緣層圍繞；

低k間隔件，位于所述柵極結構的側壁與所述第一絕緣層之間；

柵極接觸件，接合在所述柵極結構的頂面上；以及

導電區接觸件，位于所述導電區上方并且被所述第一絕緣層和所述第二絕緣層圍繞，所述導電區接觸件的頂面與所述第二絕緣層的頂面齊平；

其中，沿著所述第二絕緣層的所述頂面，所述柵極接觸件的側壁與所述導電區接觸件之間的鄰近距離在4nm至7nm的范圍內。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述柵極接觸件接合在所述柵極結構和所述低k間隔件上。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其中，所述柵極接觸件從所述柵極結構的中心偏移小于所述鄰近距離的偏移距離。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述襯底還在所述第一表面處具有隔離區，并且所述柵極結構與所述隔離區接觸。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，還包括位于所述隔離區上方的第一蝕刻停止層，并且所述低k間隔件被所述第一蝕刻停止層橫向覆蓋。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中，所述第一蝕刻停止層的頂面、所述低k間隔件的頂面和所述柵極結構的頂面是共面的。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中，所述柵極接觸件的底面與所述低k間隔件的所述頂面接觸。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其中，所述柵極接觸件的所述底面還與所述第一蝕刻停止層的所述頂面接觸。

9.一種半導體結構，包括：

襯底，具有第一表面；

導電區，位于所述襯底中；

第一絕緣層，位于所述第一表面上方；

第二絕緣層，位于所述第一絕緣層上方；

柵極結構，位于所述襯底的所述第一表面上方并且被所述第一絕緣層圍繞；

低k間隔件，位于所述柵極結構的側壁與所述第一絕緣層之間；

柵極接觸件，接合在所述柵極結構的頂面和所述低k間隔件的頂面上；以及

導電區接觸件，位于所述導電區上方并且被所述第一絕緣層和所述第二絕緣層圍繞。

10.一種用于制造半導體結構的方法，包括：

在襯底上方形成絕緣堆疊件，所述襯底在所述襯底的第一表面處具有導電區和隔離區，并且分別在所述導電區和所述隔離區上方具有導電區接觸件和柵極結構，其中，所述柵極結構被低k間隔件橫向圍繞；

通過將第一凹槽與所述柵極結構的頂面和所述低k間隔件的頂面對準，在所述柵極結構上方形成穿過所述隔離堆疊件的所述第一凹槽；

在所述導電區接觸件上方形成穿過所述隔離堆疊件的第二凹槽；

在所述隔離堆疊件、所述第一凹槽和所述第二凹槽上方形成重覆蓋層；以及

分別在所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成第一通孔接觸件和第二通孔接觸件。