[發明專利]一種VDMOS多晶硅柵返工工藝在審
| 申請號： | 202110931094.4 | 申請日： | 2021-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN113643961A | 公開（公告）日： | 2021-11-12 |
| 發明（設計）人： | 顧婷婷;雷中柱;茆健;俞驍;陳偉;征真;張麗 | 申請（專利權）人： | 蘇州博研微納科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 蘇州國卓知識產權代理有限公司 32331 | 代理人： | 夏祖祥 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿易*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 vdmos 多晶 返工 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種VDMOS多晶硅柵返工工藝，其特征在于：包含以下步驟：
S1：測量返工產品上多晶硅的厚度；
S2：用硝化酸混合物-4F腐蝕液去除返工產品上的多晶硅；
S3：測量返工產品上柵氧的厚度；
S4：用BOE腐蝕液去除返工產品上的柵氧；
S5：使用FSI清洗設備對晶圓進行清洗，去除顆粒；
S6：重新淀積柵氧和多晶硅。
2.根據權利要求1所述的VDMOS多晶硅柵返工工藝，其特征在于：所述硝化酸混合物-4F腐蝕液由以下體積百分比的成分組成：60-65％HNO3、0.3-0.6％的NH4F和HF、10-15％HAC、其余為H2O。
3.根據權利要求1所述的VDMOS多晶硅柵返工工藝，其特征在于：所述BOE腐蝕液為HF水溶液和NH4F水溶液的混合溶液；所述HF水溶液和NH4F水溶液的體積比為1：7。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的VDMOS多晶硅柵返工工藝，其特征在于：步驟S2和S4中，均通過腐蝕設備進行腐蝕，且腐蝕設備具有鼓泡循環的功能。
5.根據權利要求4所述的VDMOS多晶硅柵返工工藝，其特征在于：步驟S1和S3中，均通過膜厚儀測量多晶硅和柵氧的厚度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
