[發明專利]一種基于多層靜電勢參數的SF6

在審

• 申請號: 202110930751.3
• 申請日: 2021-08-13
• 公開（公告）號: CN113657015A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 楊帥;張鬧鬧;劉關平
• 申請（專利權）人: 湖北工業大學
• 主分類號: G06F30/25
• 分類號: G06F30/25;G06F30/27
• 代理公司: 武漢宇晨專利事務所(普通合伙) 42001
• 代理人: 李鵬;王敏鋒

1.一種基于多層靜電勢參數的SF₆替代氣體挑選方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：使用GAUSSVIEW軟件對氣體分子進行建模獲得分子構型，使用GAUSSIAN軟件對分子構型進行優化，使得分子構型優化到能量極小值點；

步驟2：根據步驟1中優化后的分子構型得到波函數文件，通過波函數分析得到分子構型的不同電子密度等值面的靜電勢參數；

步驟3：計算步驟2獲得各等值面的靜電勢參數與相對電氣強度、沸點、全球變暖潛勢值GWP的Pearson相關性系數，挑選出靜電勢參數中與相對電氣強度、沸點、全球變暖潛勢值GWP的Pearson相關性系數絕對值大于設定相關性閾值的靜電勢參數；

步驟4：將步驟3中挑選出的相關性系數絕對值大于0.5的靜電勢參數作為預測模型的輸入端，將相對電氣強度、沸點、GWP分別作為預測模型的輸出端，建立預測模型，每個樣本包含步驟3中挑選出的靜電勢參數及其對應的相對電氣強度、沸點、GWP，各個樣本構成樣本集，根據樣本集生成訓練集與驗證集，當驗證集的決定系數R²達到設定決定閾值以上時，預測模型訓練完成；

步驟5：將步驟4中得到的預測模型預測SF₆替代氣體的相對電氣強度、沸點、GWP。

2.根據權利要求1所述的一種基于多層靜電勢參數的SF₆替代氣體挑選方法，其特征在于：所述的步驟1中GAUSSIAN軟件采用DFT方法中的M06-2x方法與6-311++G(d,p)基組對分子構型進行優化。

3.根據權利要求1所述的一種基于多層靜電勢參數的SF₆替代氣體挑選方法，其特征在于：所述的步驟2中的靜電勢參數包括分子體積V，分子總表面積A_s、正靜電勢表面積A_s⁺、負靜電勢表面積A_s^-、靜電勢平均偏差Π、分子表面正靜電勢方差σ₂⁺、分子表面負靜電勢方差σ₂^-、分子表面總靜電勢方差σ_tot²、電荷平衡度ν、分子非極性表面積NSA、分子極性表面積PSA、體積密度結果ρ、以及表面靜電勢極小值V_min。

4.根據權利要求1所述的一種基于多層靜電勢參數的SF₆替代氣體挑選方法，其特征在于：所述的步驟3中的設定相關性閾值為0.5。

5.根據權利要求1所述的一種基于多層靜電勢參數的SF₆替代氣體挑選方法，其特征在于：所述的設定決定閾值為0.9。

6.根據權利要求1所述的一種基于多層靜電勢參數的SF₆替代氣體挑選方法，其特征在于：所述的步驟5中，篩選相對電氣強度大于1、沸點小于SF₆的沸點、GWP小于SF₆的GWP值的100倍的SF₆替代氣體。