[發明專利]有機發光二極管像素結構及其制造方法在審
| 申請號： | 202110930672.2 | 申請日： | 2021-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN113707693A | 公開（公告）日： | 2021-11-26 |
| 發明（設計）人： | 肖翔 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 發光二極管 像素 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光二極管像素結構，其特征在于，所述有機發光二極管像素結構包括像素電路層，所述像素電路層包括：
第一走線；
存儲電容，包括下極板與上極板，其中，所述下極板與所述第一走線同層設置；以及
絕緣層，覆蓋所述第一走線與所述下極板，其中，所述第一走線的一側具有多個間隔設置的凸部。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管像素結構，其特征在于，
所述第一走線的另一側具有多個間隔設置的凸部。
3.根據權利要求2所述的有機發光二極管像素結構，其特征在于，
所述第一走線連續彎折設置以形成所述第一走線的一側的所述多個凸部及所述第一走線的另一側的所述多個凸部。
4.根據權利要求2所述的有機發光二極管像素結構，其特征在于，
所述第一走線的一側的所述多個凸部與所述第一走線的另一側的所述多個凸部相對設置。
5.根據權利要求1所述的有機發光二極管像素結構，其特征在于，所述像素電路層還包括：
第二走線，其一側具有多個間隔設置的凸部。
6.根據權利要求5所述的有機發光二極管像素結構，其特征在于，
所述第二走線的另一側具有多個間隔設置的凸部。
7.根據權利要求6所述的有機發光二極管像素結構，其特征在于，
所述第二走線彎折設置以形成所述第二走線的一側的所述多個凸部及所述第二走線的另一側的所述多個凸部。
8.根據權利要求6所述的有機發光二極管像素結構，其特征在于，
所述第二走線的一側的所述多個凸部與所述第二走線的另一側的所述多個凸部相對設置。
9.根據權利要求6所述的有機發光二極管像素結構，其特征在于，
所述像素電路層的上極板用以做為發光二極管的陽極；
所述有機發光二極管像素結構還包括：
像素定義層，設于所述陽極上，其中所述像素定義層設置開口用以暴露出所述陽極；
發光功能層，設置于所述陽極上；以及
陰極層，設置于所述發光功能層及所述像素定義層上。
10.一種有機發光二極管像素結構的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
在基板上制備像素電路層，其中，所述像素電路層包括第一走線與存儲電容，所述第一走線的一側具有多個間隔設置的凸部；
在所述存儲電容的上極板上設置像素定義層，其中，所述上極板用以做為發光二極管的陽極；
圖案化所述像素定義層以形成開口暴露所述陽極；
以噴墨法于所述開口中打印發光功能層；
在所述發光功能層及所述像素定義層上沉積陰極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
