[發(fā)明專利]一種硫硒化銻薄膜的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110926131.2 | 申請日： | 2021-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN113754311A | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 侯文龍;陸蕾;張文婧;張建平;尹庚文;楊越冬;張海全 | 申請（專利權(quán)）人： | 河北科技師范學(xué)院 |
| 主分類號： | C03C17/34 | 分類號： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 北京中強智尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11448 | 代理人： | 郭曉迪 |
| 地址： | 066099 河北省*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 硫硒化銻 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種硫硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)將乙二胺和乙二硫醇按體積比為1:10混合，再在上述混合溶液中加入硒化銻，制得電沉積液；
(2)在電解槽中加入步驟(1)制得的電沉積液，將兩塊導(dǎo)電玻璃相對電解槽中的液面垂直放置，并保持兩塊導(dǎo)電玻璃相互平行；
(3)對兩塊導(dǎo)電玻璃進行恒電位電沉積，使位于陰極上的導(dǎo)電玻璃上的電極表面沉積出一層預(yù)制膜；
(4)將沉積有預(yù)制膜的導(dǎo)電玻璃在氮氣氣氛下進行熱處理，經(jīng)自然冷卻到室溫后，獲得硫硒化銻薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟(1)中硒化銻的加入質(zhì)量為0.01-0.03g。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟(3)中的對兩塊導(dǎo)電玻璃進行恒電位電沉積時，沉積電壓為2.0-8.0V。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟(4)中的導(dǎo)電玻璃在氮氣氣氛下熱處理溫度為300-400℃，熱處理時間為30-60min。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硫硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，在導(dǎo)電玻璃在氮氣氣氛下熱處理時，包括將導(dǎo)電玻璃放入放置于管式爐中，在氮氣氣氛中以5℃/min升溫至300-400℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，在將兩塊導(dǎo)電玻璃放入電解槽中前，還包括對兩塊導(dǎo)電玻璃依次用丙酮、乙醇溶液、以及去離子水分別超聲清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫硒化銻薄膜的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電玻璃為ITO導(dǎo)電玻璃或FTO導(dǎo)電玻璃。
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