[發明專利]存儲器結構及其操作方法

在審

• 申請號: 202110924150.1
• 申請日: 2021-08-12
• 公開（公告）號: CN114188336A
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 許家榮;蕭婉勻;孫文堂
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種存儲器結構，其特征在于，包括：

基底，具有鰭部；

柵極結構，其中部分所述柵極結構設置在所述鰭部上，且所述柵極結構與所述鰭部彼此電性絕緣；

電荷存儲層，耦合于所述柵極結構，其中所述電荷存儲層與所述柵極結構彼此電性絕緣；以及

第一控制柵極，耦合于所述電荷存儲層，其中所述第一控制柵極與所述電荷存儲層彼此電性絕緣。

2.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，所述電荷存儲層未電連接至電壓源。

3.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，所述電荷存儲層與所述柵極結構之間的介電材料的厚度大于所述柵極結構與所述鰭部之間的介電材料的厚度。

4.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，所述柵極結構包括：

第一柵極，設置在所述鰭部上，其中所述第一柵極與所述鰭部彼此電性絕緣；以及

第二柵極，其中所述第一柵極與所述第二柵極彼此分離且彼此電連接，所述電荷存儲層耦合于所述第二柵極，且所述電荷存儲層與所述第二柵極彼此電性絕緣。

5.根據權利要求4所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：

隔離結構，設置在所述基底上，且位于所述鰭部周圍，其中所述第二柵極、所述電荷存儲層與所述第一控制柵極設置在所述隔離結構上。

6.根據權利要求4所述的存儲器結構，其特征在于，所述電荷存儲層位于所述第二柵極的一側。

7.根據權利要求6所述的存儲器結構，其特征在于，所述電荷存儲層還位于所述第二柵極的頂面上。

8.根據權利要求4所述的存儲器結構，其特征在于，所述第一控制柵極與所述電荷存儲層之間的總耦合面積小于所述第二柵極與所述電荷存儲層之間的總耦合面積。

9.根據權利要求4所述的存儲器結構，其特征在于，包括多個所述第二柵極與多個所述電荷存儲層，其中多個所述第二柵極彼此電連接，多個所述電荷存儲層彼此電連接，且多個所述電荷存儲層耦合于多個所述第二柵極。

10.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，所述柵極結構包括：

柵極，設置在所述鰭部上，其中所述柵極與所述鰭部彼此電性絕緣，所述電荷存儲層耦合于所述柵極，且所述電荷存儲層與所述柵極彼此電性絕緣。

11.根據權利要求10所述的存儲器結構，其特征在于，所述電荷存儲層位于所述柵極的頂面上。

12.根據權利要求10所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：

第二控制柵極，耦合于所述電荷存儲層，其中所述第二控制柵極與所述電荷存儲層彼此電性絕緣，所述第一控制柵極與所述電荷存儲層之間的總耦合面積小于所述第二控制柵極與所述電荷存儲層之間的總耦合面積。

13.根據權利要求4所述的存儲器結構，其特征在于，所述基底具有多個所述鰭部，且所述第一柵極跨設在多個所述鰭部上。

14.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：

接觸窗，電連接至所述鰭部中的摻雜區，其中所述接觸窗與所述電荷存儲層源自于同一個材料層。

15.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：

選擇柵極，設置在所述第一柵極的一側的所述鰭部上，其中所述選擇柵極與所述鰭部彼此電性絕緣。

16.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：

第二控制柵極，耦合于所述電荷存儲層，其中所述第二控制柵極與所述電荷存儲層彼此電性絕緣。