[發明專利]一種硅基可低溫燒結的低介高品質因數微波介質陶瓷的制備及應用

在審

• 申請號: 202110920134.5
• 申請日: 2021-08-11
• 公開（公告）號: CN113754419A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 李潔;唐瑩;方亮
• 申請（專利權）人: 桂林理工大學
• 主分類號: C04B35/16
• 分類號: C04B35/16;C04B35/622;H01P1/20;H01P7/10;H03H3/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅基可低溫燒結的低介高品質因數微波介質陶瓷的制備及應用，其特征在于所述硅基低介高品質因數微波介質陶瓷的組成通式為：(1-x)Li₂SrSiO₄-xSrTiO₃，其中x為體積百分比，0≤x≤0.06；

所述硅基低介高品質因數微波介質陶瓷的制備方法步驟為：

（1）將99.9%分析純的原料粉末Li₂CO₃、SrCO₃和SiO₂按Li₂SrSiO₄的組成稱量配料；

（2）將步驟（1）原料濕式球磨混合6小時，球磨介質為酒精，烘干后在600~720℃大氣氣氛中預燒3~5小時；

（3）將步驟（2）獲得的預燒粉末與99.9%分析純的SiTiO₃粉末按(1-x)Li₂SrSiO₄-xSrTiO₃進行稱量，其中x為體積百分比，0≤x≤0.06，再次球磨后添加質量百分比濃度為5%的聚乙烯醇溶液并造粒，聚乙烯醇溶液劑量占粉末總質量的2~4%；再壓制成型，最后在800~900℃大氣氣氛中燒結2~6小時，得硅基低介高品質因數微波介質陶瓷(1-x)Li₂SrSiO₄-xSrTiO₃。

2.根據權利要求1所述的硅基可低溫燒結的低介高品質因數微波介質陶瓷的應用，其特征在于所述硅基低介高品質因數微波介質陶瓷能應用于各種陶瓷基板、介質諧振器與濾波器微波元器件的制造。