[發(fā)明專利]調(diào)制逆向反射壓電多層膜

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110917095.3
• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN113611721A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安德魯·西蒙·菲洛
• 申請（專利權(quán)）人: 安德魯·西蒙·菲洛
• 主分類號: H01L27/20
• 分類號: H01L27/20;H01L31/053;H01L41/047;H01L41/09;H01L41/193;G09F3/02;G09F3/10;G06K7/10;G02B26/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 王英杰;于靜

1.一種調(diào)制逆向反射多層膜，包括：

逆向反射元件；

壓電層，其具有相對的頂表面和底表面；

處理器，其位于所述多層膜的層內(nèi)，并與電壓源通信地耦接，以跨所述壓電層而施加電壓；以及

光伏層，其與所述能量儲存裝置電連接并且與所述處理器耦接以向所述處理器傳送電信號，

其中所述多層膜具有小于50的硬度計(jì)硬度；并且

可選地，其中所述多層膜具有小于100微米的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層膜，其中所述壓電層和所述光伏層基本上彼此共同延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層膜，其中所述光伏層與能量儲存裝置電連接以獲取和存儲能量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層膜，進(jìn)一步包括：

第一電極層，其與所述壓電層的所述頂面電連接；

第二電極層，其與所述壓電層的所述底面電連接；以及

所述電壓源，其位于所述多層膜的層內(nèi)，并與所述第一電極層和第二電極層電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層膜，進(jìn)一步包括能量儲存裝置，其位于所述多層膜的層內(nèi)，并且被配置為儲存用于施加所述電壓的能量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層膜，其中所述逆向反射元件被設(shè)置在所述壓電層的所述頂表面或所述底表面上以形成逆向反射表面，并且其中所述逆向反射元件被以大于每平方毫米10個的密度而設(shè)置在所述逆向反射表面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層膜，其中所述壓電層包括聚偏二氟乙烯。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層膜，其中所述壓電層、所述第一電極層和所述第二電極層中的每個的至少部分是透明的。

9.一種標(biāo)簽，包括權(quán)利要求1所述的多層膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的標(biāo)簽，進(jìn)一步包括：

釋放襯墊，其設(shè)置在所述外粘合劑層上。