[發明專利]基于圖像處理的特征峰識別方法及計算設備、存儲介質在審
| 申請號: | 202110916641.1 | 申請日: | 2021-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN113640445A | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發明(設計)人: | 胡蕓;趙楊;惠非瓊;張麗;阮藝斌 | 申請(專利權)人: | 貴州中煙工業有限責任公司 |
| 主分類號: | G01N30/86 | 分類號: | G01N30/86 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人: | 徐穎聰 |
| 地址: | 550001*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 圖像 處理 特征 識別 方法 計算 設備 存儲 介質 | ||
1.一種基于圖像處理的特征峰識別方法,用于從氣相離子遷移譜圖中提取特征峰,其特征在于,包括:
在所述氣相離子遷移譜圖中選取表征樣品揮發性物質的第一圖譜;
將所述第一圖譜轉化為二值圖像;
確定所述二值圖像中的所有目標區域的邊緣點集,根據所述邊緣點集在所述第一圖譜中獲取各所述目標區域的特征數據,每一個所述目標區域的所述特征數據均包括該目標區域內各點的離子強度、色譜保留時間以及離子遷移時間;
針對每一個所述目標區域,根據該所述目標區域內的所述特征數據構建第一特征曲線和第二特征曲線,分別判斷所述第一特征曲線的波峰數量和所述第二特征曲線的波峰數量,若所述第一特征曲線的波峰數量和所述第二特征曲線的波峰數量均為一個,則獲取該所述目標區域內的最大離子強度及其相應的色譜保留時間和離子遷移時間作為該所述目標區域的特征峰信息;
其中,所述第一特征曲線為第一離子強度隨色譜保留時間的變化曲線,所述第二特征曲線為第二離子強度隨離子遷移時間的變化曲線。
2.如權利要求1所述的基于圖像處理的特征峰識別方法,其特征在于,針對每一個所述目標區域,當分別判斷所述第一特征曲線的波峰數量和所述第二特征曲線的波峰數量時,
若所述第一特征曲線的波峰數量為多個而所述第二特征曲線的波峰數量為一個或所述第一特征曲線的波峰數量為一個而所述第二特征曲線的波峰數量為多個,則進一步獲取所述第一特征曲線和所述第二特征曲線中的所述波峰數量為多個的特征曲線的波谷;
根據所述波峰數量為多個的所述特征曲線上的波峰和所述波谷,將所述特征曲線分割成多個子曲線段,并獲取各所述子曲線段的初始位置和終止位置;其中,所述子曲線段的數量與所述特征曲線上的波峰數量相等,且每一個所述子曲線段有且僅有一個所述波峰;
根據各所述子曲線段的初始位置和終止位置將所述目標區域分割為多個子區域;
針對每一個所述子區域,獲取該所述子區域內的最大離子強度及所述最大離子強度相應的色譜保留時間和離子遷移時間;
各所述子區域的最大離子強度及其相應的色譜保留時間和離子遷移時間即為所述目標區域的各所述特征峰信息。
3.如權利要求1所述的基于圖像處理的特征峰識別方法,其特征在于,針對每一個所述目標區域,當分別判斷所述第一特征曲線的波峰數量和所述第二特征曲線的波峰數量時,
若所述第一特征曲線的波峰數量和所述第二特征曲線的波峰數量均為多個,則分別獲取所述第一特征曲線的波谷和所述第二特征曲線的波谷;
根據所述第一特征曲線的波峰和波谷,將所述第一特征曲線分割成多個第一子曲線段,并獲取各所述第一子曲線段的初始位置和終止位置;其中,所述第一子曲線段的數量與所述第一特征曲線上的波峰數量相等,且每一個所述第一子曲線段有且僅有一個所述波峰;
根據所述第二特征曲線的波峰和波谷,將所述第二特征曲線分割成多個第二子曲線段,并獲取各所述第二子曲線段的初始位置和終止位置;其中,所述第二子曲線段的數量與所述第二特征曲線上的波峰數量相等,且每一個所述第二子曲線段有且僅有一個所述波峰;
根據各所述第一子曲線段的初始位置和終止位置以及各所述第二子曲線段的初始位置和終止位置,將所述目標區域分割為多個子區域,并獲取各所述子區域的特征數據;
針對每一個所述子區域,根據所述子區域的特征數據建立子區域第一特征曲線和子區域第二特征曲線;
分別判斷所述子區域第一特征曲線和所述子區域第二特征曲線的波峰數量,根據所述子區域第一特征曲線的波峰數量和所述子區域第二特征曲線的波峰數量獲取所述子區域內的特征峰信息;其中,所述目標區域的特征峰信息包括各所述子區域的特征峰信息。
4.如權利要求1所述的基于圖像處理的特征峰識別方法,其特征在于,所述根據該所述目標區域內的所述特征數據構建第一特征曲線和第二特征曲線包括:
將該所述目標區域內處于相同色譜保留時間的各點的所述離子強度進行求和,獲得各所述色譜保留時間對應的所述第一離子強度,根據各所述第一離子強度構建所述第一特征曲線;
將該所述目標區域內處于相同離子遷移時間的各點的所述離子強度進行求和,獲得各所述離子遷移時間對應的所述第二離子強度,根據各所述第二離子強度構建所述第二特征曲線。
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