[發明專利]高壓變頻器、IGBT隔離驅動器及其共模抑制電路

有效

• 申請號: 202110911216.3
• 申請日: 2021-08-10
• 公開（公告）號: CN113595368B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 李軍;張杰;張弛;施貽蒙
• 申請（專利權）人: 杭州飛仕得科技有限公司
• 主分類號: H02M1/12
• 分類號: H02M1/12;H02M1/088;H02M5/16
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 藏斌

本申請提供了一種高壓變頻器、IGBT隔離驅動器及其共模抑制電路，該共模抑制電路應用于IGBT隔離驅動器中的信號變壓器，其中：副邊繞組同名端的共模抑制單元和副邊繞組異名端的共模抑制單元在信號變壓器出現共模電壓信號時，分別用于以IGBT隔離驅動器中相應比較器輸出電平為低作為控制目標，將副邊繞組同名端和副邊繞組異名端上的共模電流進行旁路；也即，本申請提供的共模抑制電路能夠在信號變壓器出現共模電壓信號時，通過相應的共模抑制單元分別將副邊繞組同名端和副邊繞組異名端上的共模電流進行旁路，避免了信號變壓器高壓側的信號處理單元接收到兩個同高的脈沖，保證了IGBT隔離驅動器中信號處理單元的正常工作。

技術領域

本發明涉及電路電子技術領域，具體涉及一種高壓變頻器、IGBT隔離驅動器及其共模抑制電路。

背景技術

在高壓變頻器中，如圖1所示，控制器（圖中的CONTROL CIRCUITRY）經IGBT隔離驅動器（圖中的GATE DRIVE）將低壓側的控制信號傳送給高壓側的IGBT，從而實現IGBT開關。IGBT隔離驅動器通常采用光耦、容耦、變壓器等隔離器進行信號的隔離傳輸。

以信號變壓器為例，如圖2所示，信號變壓器輸入和輸出分別處于高壓側和低壓側，高壓側的IGBT在開關時會產生VCM（common mode voltage，共模電壓）信號，通過信號變壓器內部的耦合電容，會在高壓側和低壓側之間形成共模電流，從而使得高壓側的信號處理單元接收到兩個同高的脈沖，從而影響信號處理單元的正常工作。

發明內容

對此，本申請提供一種高壓變頻器、IGBT隔離驅動器及其共模抑制電路，以解決高壓側的IGBT開關時產生的共模電壓信號，會在高壓側和低壓側之間形成共模電流，導致高壓側的信號處理單元接收到兩個同高的脈沖，從而影響信號處理單元的正常工作的問題。

為實現上述目的，本發明實施例提供如下技術方案：

本發明第一方面公開了一種共模抑制電路，應用于IGBT隔離驅動器中的信號變壓器，所述共模抑制電路包括：副邊繞組同名端的共模抑制單元以及副邊繞組異名端的共模抑制單元；

所述副邊繞組同名端的共模抑制單元和所述副邊繞組異名端的共模抑制單元在所述信號變壓器出現共模電壓信號時，分別用于以所述IGBT隔離驅動器中相應比較器輸出電平為低作為控制目標，將所述副邊繞組同名端和所述副邊繞組異名端上的共模電流進行旁路。

可選地，在上述的共模抑制電路中，所述副邊繞組同名端的共模抑制單元和所述副邊繞組異名端的共模抑制單元的結構相同。

可選地，在上述的共模抑制電路中，所述副邊繞組同名端的共模抑制單元，包括：第一電阻、第二電阻、第一開關管以及第二開關管；其中：

所述第一電阻的一端與所述信號變壓器的副邊繞組異名端相連；所述第一電阻的另一端分別與所述第一開關管的控制端、所述第一開關管的第二端以及所述第二開關管的控制端相連；

所述第一開關管的第一端與所述第二開關管的第一端相連，并接地；

所述第二開關管的第二端與所述第二電阻的一端相連，連接點與所述IGBT隔離驅動器中相應的比較器的同相輸入端相連；

所述第二電阻的另一端與所述信號變壓器的副邊繞組同名端相連。

可選地，在上述的共模抑制電路中，所述第一開關管和所述第二開關管均為NMOS管，或者，三極管。

可選地，在上述的共模抑制電路中，所述副邊繞組異名端的共模抑制單元，包括：

第三電阻、第四電阻、第三開關管以及第四開關管；其中：

所述第三電阻的一端與所述信號變壓器的副邊繞組同名端相連；所述第三電阻的另一端分別與所述第三開關管的控制端、所述第三開關管的第二端以及所述第四開關管的控制端相連；