[發(fā)明專利]蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)及蒸發(fā)式PECVD設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110906533.6
• 申請(qǐng)日: 2021-08-06
• 公開（公告）號(hào): CN113755821A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張運(yùn)祥;張勤芳;王仲杰;陳霄;侯海軍;戴海璐;劉超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鹽城工學(xué)院
• 主分類號(hào): C23C16/448
• 分類號(hào): C23C16/448;C23C16/50
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 孫蕾

1.一種蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，所述蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)包括：

蒸發(fā)源底托，用于支撐所述蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)；

蒸發(fā)部分，設(shè)置于所述蒸發(fā)源底托上，用于將鍍膜材料蒸發(fā)成氣態(tài)；

裂解部分，設(shè)置于所述蒸發(fā)部分上，與所述蒸發(fā)部分相連通，用于將蒸發(fā)部分中蒸發(fā)成所述氣態(tài)的大分子形態(tài)鍍膜材料裂解成小分子或原子形態(tài)鍍膜材料；

差分輸運(yùn)部分，設(shè)置于裂解部分的側(cè)面，用于輸運(yùn)載氣，并利用所述載氣選擇性輸運(yùn)所述氣態(tài)的鍍膜材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，其中，所述蒸發(fā)部分包括蒸發(fā)源主體，所述蒸發(fā)源主體包括：

坩堝，設(shè)置于所述蒸發(fā)源主體內(nèi)部，所述坩堝外壁上設(shè)置有多條螺紋；

外部熱屏蔽罩，環(huán)繞設(shè)置于所述蒸發(fā)源主體表面；

蒸發(fā)源加熱絲，設(shè)置于所述坩堝外壁上的多條所述螺紋上，所述加熱絲被所述外部熱屏蔽罩覆蓋，所述加熱絲與所述外部熱屏蔽罩之間具有預(yù)設(shè)距離；

蒸發(fā)源節(jié)流蓋，設(shè)置于所述坩堝口部，與所述裂解部分的底部相連通，其中，所述蒸發(fā)源節(jié)流蓋中間設(shè)置有通孔；

冷卻水管道，環(huán)繞覆蓋于所述加熱絲，用于對(duì)熱蒸發(fā)的所述鍍膜材料進(jìn)行冷卻降溫。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，其中，所述外部熱屏蔽罩的內(nèi)徑與所述坩堝口部的外徑相等，所述坩堝口部的外沿與所述外部熱屏蔽罩的頂部為同一水平線上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，其中，所述坩堝和所述外部熱屏蔽罩的材質(zhì)均包括以下之一：石墨、氧化鋁、氧化鋯、氧化硼，其中，所述石墨的純度大于或等于99.9％。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，其中，所述坩堝外壁上的所述螺紋的直徑為1～1.5mm，用于固定所述蒸發(fā)源加熱絲的位置；所述蒸發(fā)源加熱絲的之間的間距大于0.5mm；所述蒸發(fā)源加熱絲與所述外部熱屏蔽罩之間具有預(yù)設(shè)距離為1～3mm；所述蒸發(fā)源節(jié)流蓋的通孔的孔徑為0.3～2mm，孔深為2～10mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，其中，所述裂解部分包括裂解器和裂解加熱單元，其中，所述裂解器內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)通氣管，所述通氣管的一側(cè)與所述蒸發(fā)源節(jié)流蓋的通孔內(nèi)嵌連通，所述通氣管的直徑為0.5～1mm；所述裂解加熱單元，設(shè)置于所述裂解器的頂部，用于加熱所述裂解器。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，其中，所述裂解加熱單元包括裂解加熱絲、陶瓷管、蓋板；所述裂解加熱絲平鋪于所述裂解器的頂部，所述裂解加熱絲的外部設(shè)置有陶瓷管；所述蓋板設(shè)置于所述陶瓷管的頂部，用于固定所述陶瓷管，所述陶瓷管的間距為1～2mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，其中，所述差分輸運(yùn)部分包括進(jìn)氣管和出氣管，其中，所述進(jìn)氣管和所述出氣管分別設(shè)置于所述裂解器的不同的側(cè)面，與所述通氣管的另一側(cè)形成輸運(yùn)通道，所述輸運(yùn)通道用于輸運(yùn)所述載氣輸運(yùn)的所述氣態(tài)的鍍膜材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，還包括：至少三個(gè)蒸發(fā)源固定支架，用于連接所述蒸發(fā)源底托、所述蒸發(fā)部分和所述裂解部分；所述蒸發(fā)部分與所述裂解部分的接觸面之間的潔凈度大于4。

10.一種蒸發(fā)式PECVD設(shè)備，包括：如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)。