[發明專利]晶圓加工方法

在審

• 申請號: 202110905617.8
• 申請日: 2021-08-05
• 公開（公告）號: CN113782420A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 王瑞瀚;張賓;楊德明
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/677
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種晶圓加工方法，涉及半導體制造領域。該晶圓加工方法包括將立式爐管機臺的裝載區環境設置為含氧環境；將晶圓傳輸至立式爐管機臺；通過立式爐管機臺在晶圓上形成氮化硅薄膜；將形成有氮化硅薄膜的晶圓傳輸至裝載區；解決了目前氮化硅薄膜親水性差，容易導致BARC涂布不均勻的問題；達到了在不增加工藝成本的情況下，提高氮化硅薄膜表面的親水性，避免光刻時在襯底上形成氣泡而導致的硅損失的效果。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種晶圓加工方法。

背景技術

立式爐管機臺是半導體制造生產線中的重要工藝設備之一，可以用于大規模集成電路、分立器件、電力電子器件、光電器件和光導纖維等的擴散、氧化、退火、化學氣相沉積、合金等工序。通過晶舟將每批(lot)送入立式爐管機臺的反應腔室內進行相應的工藝。

在一些芯片的制作工藝中，通過立式爐管機臺沉積氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜形成后進行光刻。在光刻過程，需要在氮化硅薄膜表面涂布底部抗反射涂層(Bottom Anti-Reflection Coating，BARC)。然而，BARC對于膜層表面親水性比較敏感，氮化硅薄膜的疏水性較強、親水性較差，在涂布BARC時容易出現涂覆不均勻的問題。

發明內容

為了解決相關技術中的問題，本申請提供了一種晶圓加工方法。該技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種晶圓加工方法，該方法包括：

將立式爐管機臺的裝載區環境設置為含氧環境；

將晶圓傳輸至所述立式爐管機臺；

通過所述立式爐管機臺在所述晶圓上形成氮化硅薄膜；

將形成有氮化硅薄膜的晶圓傳輸至所述裝載區。

可選的，所述將所述形成有氮化硅薄膜的晶圓傳輸至所述裝載區，包括：

控制所述形成有氮化硅薄膜的晶圓，按預定速度從所述立式爐管機臺的反應腔室移動至所述裝載區。

可選的，所述預定速度小于200mm/min。

可選的，所述將立式爐管機臺的裝載區環境設置為含氧氣環境，包括：

向所述立式爐管機臺的裝載區內通入氧氣或含氧氣體。

可選的，所述裝載區環境的氧氣濃度為100000-250000ppm。

可選的，所述晶圓放置在晶舟上。

本申請技術方案，至少包括如下優點：

通過將立式爐管機臺的裝載區環境設置為含氧環境；將晶圓傳輸至立式爐管機臺；通過立式爐管機臺在晶圓上形成氮化硅薄膜；將形成有氮化硅薄膜的晶圓傳輸至裝載區；解決了目前氮化硅薄膜親水性差，容易導致BARC涂布不均勻的問題；達到了在不增加工藝成本的情況下，提高氮化硅薄膜表面的親水性，避免光刻時在襯底上形成氣泡而導致的硅損失的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請實施例提供的一種晶圓加工方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結合附圖，對本申請中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本申請的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在不做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本申請保護的范圍。