[發(fā)明專利]一種引腳重布局的無源器件及其制作方法

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• 申請日: 2021-08-06
• 公開（公告）號: CN113628978A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 上海芯波電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 上海樂泓專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31385
• 代理人: 王瑞

本發(fā)明公開了一種引腳重布局的無源器件的制作方法，包括以下步驟：S1在襯底片上制作體通孔；S2在襯底片上下表面分別制作位于下表面的第一金屬層和位于上表面的第二金屬層，并在第一金屬層上旋涂第一介質(zhì)層；S3在第二金屬層上旋涂第二介質(zhì)層,在第二介質(zhì)層上電鍍第三金屬層，并在第三金屬層上旋涂第三介質(zhì)層；S4在第三介質(zhì)層上刻蝕出第一通孔；S5制作第四金屬層，并在第四金屬層上旋涂第四介質(zhì)層,在第四介質(zhì)層上刻蝕出第二通孔；S6制作第五金屬層，并在第五金屬層上旋涂第五介質(zhì)層；S7在第一介質(zhì)層上刻蝕出焊盤開窗。本發(fā)明通過高孔徑比的體通孔和較厚的表面布線層，將集成無源器件表面分布不規(guī)則的焊盤重新分配，且焊盤可與基板直接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種引腳重布局的無源器件及其制作方法。

背景技術(shù)

當(dāng)前移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備市場正經(jīng)歷著史無前例的高速增長。盡管數(shù)字電路在摩爾定律的驅(qū)動下繼續(xù)增加著集成度,但射頻電路卻無法按相同比例減小尺寸。因此射頻電路尤其是無源器件部分的進(jìn)一步集成,已經(jīng)成為系統(tǒng)級封裝技術(shù)的關(guān)鍵。為了滿足不斷增長的需求、減小尺寸和成本、增加功能，玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)技術(shù)已成為射頻前端設(shè)計的一種可行性技術(shù)。

現(xiàn)有的集成無源器件工藝，是采用半導(dǎo)體后道工藝實現(xiàn)無源器件電阻、電容、電感的技術(shù)，其優(yōu)點是可設(shè)計出高精度的電阻、電容及低工藝誤差的布線；但受限于集成電路工藝，包括電阻、電容、電感等器件只能集中在幾十微米的薄層內(nèi)，因此不利于焊盤的放置。而TGV工藝采用低介電常數(shù)材料玻璃做基板材料，可實現(xiàn)高孔徑比的基板通孔和較厚的表面布線層。但如何將兩者結(jié)合起來還是一個問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在提供一種引腳重布局的無源器件及其制作方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種引腳重布局的無源器件的制作方法，包括以下步驟：

S1在襯底片上制作體通孔，并在體通孔孔壁以及襯底片的上下表面進(jìn)行物理氣相沉積；

S2在襯底片上下表面分別制作位于下表面的第一金屬層和位于上表面的第二金屬層，并在第一金屬層上旋涂第一介質(zhì)層；

S3在第二金屬層上旋涂第二介質(zhì)層,在第二介質(zhì)層上電鍍第三金屬層，并在第三金屬層上旋涂第三介質(zhì)層；

S4在第三介質(zhì)層上刻蝕出第一通孔；

S5在襯底片上表面重復(fù)步驟S2，制作第四金屬層，使得第四金屬層和第三金屬層通過第一通孔連接，并在第四金屬層上旋涂第四介質(zhì)層,在第四介質(zhì)層上刻蝕出第二通孔；

S6在襯底片上表面重復(fù)步驟S2，制作第五金屬層，使得第五金屬層和第四金屬層通過第二通孔連接，并在第五金屬層上旋涂第五介質(zhì)層；

S7在第一介質(zhì)層上刻蝕出焊盤開窗。

本發(fā)明的一個較佳實施例中，還包括：

在步驟S3之前，在第一介質(zhì)層下面焊接一載體；

在步驟S7之前，移除載體。

本發(fā)明的一個較佳實施例中，襯底片的材質(zhì)為玻璃。

本發(fā)明的一個較佳實施例中，第一介質(zhì)層至第五介質(zhì)層的材質(zhì)為PI或BCB。

本發(fā)明的一個較佳實施例中，步驟S1中在體通孔孔壁以及襯底片的上下表面進(jìn)行物理氣相沉積，包括：

在體通孔孔壁鍍上金屬銅。

本發(fā)明的一個較佳實施例中，步驟S1中在襯底片上制作體通孔，具體為：

采用TGV技術(shù)在襯底片上制作體通孔。

另一技術(shù)方案是：