[發明專利]晶圓結構

在審

• 申請號: 202110902167.7
• 申請日: 2021-08-06
• 公開（公告）號: CN114434969A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 莫皓然;張英倫;戴賢忠;黃啟峰;韓永隆;林宗義
• 申請（專利權）人: 研能科技股份有限公司
• 主分類號: B41J2/14
• 分類號: B41J2/14
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 喻學兵

1.一種晶圓結構，包含：

一芯片基板，為一硅基材，以半導體制程制出；

多個噴墨芯片，包含至少一第一噴墨芯片及至少一第二噴墨芯片以半導體制程制直接生成于該芯片基板上，并切割成該至少一第一噴墨芯片及該至少一第二噴墨芯片，實施應用于噴墨打印；

其中該第一噴墨芯片及該第二噴墨芯片分別包含：

多個墨滴產生器，以半導體制程制出生成于該芯片基板上，且每一該墨滴產生器包含一障壁層、一供墨腔室及一噴孔，而該供墨腔室及該噴孔一體成型生成于該障壁層中。

2.如權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，每一該墨滴產生器，進一步包含一熱障層、一加熱電阻層、一導電層、一保護層，而該熱障層形成于該芯片基板上，該加熱電阻層形成于該熱障層上，而該導電層及該保護層的一部分形成于該加熱電阻層上，且該保護層的其他部分形成于該導電層上，而該障壁層形成于該保護層上，且該供墨腔室底部連通該保護層，該供墨腔室頂部連通該噴孔。

3.如權利要求2所述的晶圓結構，其特征在于，該多個噴墨芯片包含至少一供墨流道及多個岐流道以半導體制程制出，其中該供墨流道提供一墨水，以及該供墨流道連通多個該岐流道，且多個該岐流道連通每個該墨滴產生器的該供墨腔室。

4.如權利要求2所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體以90納米以下的半導體制程制出形成一噴墨控制電路。

5.如權利要求4所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體以90～65納米半導體制程制出形成一噴墨控制電路。

6.如權利要求4所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體以65～45納米半導體制程制出形成一噴墨控制電路。

7.如權利要求4所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體以45～28納米半導體制程制出形成一噴墨控制電路。

8.如權利要求4所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體以28～20納米半導體制程制出形成一噴墨控制電路。

9.如權利要求4所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體以20～12納米半導體制程制出形成一噴墨控制電路。

10.如權利要求4所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體以12～7納米半導體制程制出形成一噴墨控制電路。

11.如權利要求4所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體以7～2納米半導體制程制出形成一噴墨控制電路。

12.如權利要求2所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體為金屬氧化物半導體場效晶體管的柵極。

13.如權利要求2所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體為互補式金屬氧化物半導體的柵極。

14.如權利要求2所述的晶圓結構，其特征在于，該導電層所連接的導體為N型金屬氧化物半導體的柵極。

15.如權利要求3所述的晶圓結構，其特征在于，該供墨流道為至少1個至6個。

16.如權利要求15所述的晶圓結構，其特征在于，該供墨流道為1個，提供單色墨水。

17.如權利要求15所述的晶圓結構，其特征在于，該供墨流道為4個，分別提供青色、洋紅色、黃色、黑色，共四色墨水。

18.如權利要求15所述的晶圓結構，其特征在于，該供墨流道為6個，分別提供黑色、青色、洋紅色、黃色、淺青色和淡洋紅色，共六色墨水。