[發明專利]一種單面拋光晶片背面打字、蝕刻工藝

在審

• 申請號: 202110902133.8
• 申請日: 2021-08-06
• 公開（公告）號: CN113628965A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 古新遠;趙波;劉宏偉;高偉
• 申請（專利權）人: 保定通美晶體制造有限責任公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 李興林

1.一種單面拋光晶片背面打字、蝕刻工藝，其特征在于：具體包括以下步驟，

步驟一、晶片的初次蝕刻，研磨工站將晶片研磨后送到蝕刻工位，將單面拋光晶片放置到蝕刻設備的工作臺上，初次蝕刻量設定為總蝕刻量的二分之一；

步驟二、晶片的打字作業，待加工的晶片送到打字工站，在單面拋光晶片(1)的背面指定位置且按照設計的打字標識(2)進行打字作業；

步驟三、晶片的二次蝕刻，打字結束的晶片重新送回研磨工站，將單面拋光晶片放置到蝕刻設備的工作臺上，進行第二次蝕刻，且第二次蝕刻量設定為總蝕刻量的二分之一。

2.根據權利要求1所述的單面拋光晶片背面打字、蝕刻工藝，其特征在于：步驟一和步驟三中，采用的蝕刻用藥液的濃度、溫度與原工藝相同，蝕刻時間縮短為原來的一半，兩次蝕刻的總蝕刻量與原工藝一次蝕刻的蝕刻量相同。

3.根據權利要求2所述的單面拋光晶片背面打字、蝕刻工藝，其特征在于：所述蝕刻采用的藥液為SC1藥液,該藥液的體積濃度為75％，蝕刻要求的溫度范圍為30～50℃，初次蝕刻和第二次蝕刻的時間為15±1s。

4.根據權利要求1所述的單面拋光晶片背面打字、蝕刻工藝，其特征在于：步驟二中，所述打字標識(2)的邊緣會出現隆起，所述隆起在步驟三中第二次蝕刻處理過程中消除。