[發明專利]半導體器件的制備方法及半導體器件

有效

• 申請號: 202110902056.6
• 申請日: 2021-08-06
• 公開（公告）號: CN113629008B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 上官明沁;呂佐文
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H10B12/00
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 陳超德;吳昊

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導體基板，并在所述基板上方形成第一層間絕緣層；

形成貫穿所述第一層間絕緣層并延伸至所述基板內部的接觸孔；其中，所述接觸孔暴露出部分所述基板和部分所述第一層間絕緣層；

將所述基板放置于反應腔室內，對所述基板進行加熱，并向所述反應腔室內通入第一反應氣體，以形成覆蓋所述接觸孔內壁和所述第一層間絕緣層上表面的硅晶種層；其中，所述第一反應氣體至少包括二仲丁基氨基硅烷和二叔丁基氨基硅烷中的一種；

繼續對所述基板進行加熱，并向所述反應腔室內通入第二反應氣體，以形成覆蓋于所述硅晶種層遠離所述基板的表面的磷摻雜硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述基板放置于反應腔室內，對所述基板進行加熱，并向所述反應腔室內通入第一反應氣體，以形成覆蓋所述接觸孔內壁和所述第一層間絕緣層上表面的硅晶種層，包括以下步驟：

將所述基板放置于反應腔室內，對所述基板進行加熱，并向所述反應腔室內通入第一反應氣體，以通過原子層沉積的方式形成覆蓋所述接觸孔內壁和所述第一層間絕緣層上表面的硅晶種層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅晶種層的厚度為原子尺寸數量級。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅晶種層與所述基板接觸的部分的厚度大于與所述第一層間絕緣層接觸的部分的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅晶種層為非晶形的硅晶種層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二反應氣體包括不含氨基的硅烷和磷烷。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅晶種層和所述磷摻雜硅層的總厚度大于或等于所述接觸孔的深度。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，形成覆蓋于所述硅晶種層遠離所述基板的表面的磷摻雜硅層的步驟之后，所述方法還包括：

對所述磷摻雜硅層進行平坦化處理；

在平坦化之后的所述磷摻雜硅層上方形成位線疊層；

對所述硅晶種層和平坦化之后的所述磷摻雜硅層，以及所述位線疊層進行圖案化處理，以分別得到位線接觸插塞和位線結構；其中，所述位線結構通過所述位線接觸插塞與所述基板實現電連接。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板上方形成第一層間絕緣層的步驟之前，所述方法還包括：

在所述基板上表面內形成沿第一方向的若干間隔設置的有源圖案；其中，每個所述有源圖案之間通過隔離圖案隔離；

在所述基板上表面內形成沿第二方向的若干間隔設置的溝槽柵結構；其中，每個所述溝槽柵結構與至少一個所述有源圖案相交。

10.一種半導體器件，其特征在于，采用如權利要求1至9中的任一項所述的方法制備而成。