[發明專利]制造直拉硅晶片的方法

在審

• 申請號: 202110901543.0
• 申請日: 2021-08-06
• 公開（公告）號: CN114059149A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: H-J·舒爾茨;H·奧夫納
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉書航;劉春元

1.一種制造直拉硅晶片(130)的方法，所述方法包括：

在提取時間段內從包括主要為n型的摻雜劑的硅熔體(110)提取直拉硅晶錠(112)；

通過控制由硼源向硅熔體(110)的硼供給來在至少部分提取時間段內將硼引入到直拉硅晶錠(112)中；

確定沿著直拉硅晶錠(112)的晶軸(x)的特定電阻率、硼濃度和碳濃度；

將直拉硅晶錠(112)或直拉硅晶錠(112)的區段劃分成直拉硅晶片(130)；

取決于特定電阻率、硼濃度和碳濃度中的至少兩個來確定至少兩組(1341,1342)的直拉硅晶片(130)。

2.根據前項權利要求所述的方法，其中所述至少兩組(1341，1342)中的一組的每個直拉硅晶片(130)的硼濃度小于3.0×10¹³cm^-3，并且其中所述至少兩組(1341，1342)中的另一組的每個直拉硅晶片(130)的硼濃度大于3.0×10¹³cm^-3。

3.根據前述權利要求中的任何一項所述的方法，其中所述至少兩組(1341，1342)中的一組的每個直拉硅晶片(130)的碳濃度小于1.5×10¹⁵cm^-3，并且其中所述至少兩個組(1341，1342)中的另一組的每個直拉硅晶片(130)的碳濃度大于1.5×10¹⁵cm^-3。

4.根據前述權利要求中的任何一項所述的方法，其中直拉硅晶錠(112)的長度為至少0.3m。

5.根據前述權利要求中的任何一項所述的方法，其中直拉硅晶錠(112)的直徑為至少300mm。

6.根據前述權利要求中的任何一項所述的方法，其中確定沿著直拉硅晶錠(112)的晶軸(x)的硼濃度和碳濃度涉及傅立葉變換紅外光譜(FTIR)、二次離子質譜(SIMS)、X射線熒光光譜、光致發光光譜中的至少之一。

7.根據前述權利要求中的任何一項所述的方法，其中在提取直拉硅晶錠(112)的至少一部分之后將硼供給接通或增加至少一次。

8.根據前述權利要求中的任何一項所述的方法，進一步包括：

準備標記，標記被配置為在所述至少兩組(1341,1342)直拉硅晶片(130)之間進行區分；以及

包裝所述至少兩組(1341,1342)直拉硅晶片(130)。

9.根據前述權利要求中的任何一項所述的方法，其中所述至少兩組(1341,1342)直拉硅晶片(130)中的直拉硅晶片(130)被包裝在同一裝運容器中。

10.根據權利要求8所述的方法，其中標記通過裝運容器中的至少一個位置或通過直拉硅晶片(130)上的記號來在所述至少兩組(1341,1342)直拉硅晶片(130)之間進行區分。

11.根據權利要求1至8中的任何一項所述的方法，其中所述至少兩組(1341,1342)直拉硅晶片(130)中的直拉硅晶片(130)被包裝在分離的裝運容器中。

12.根據前述權利要求中的任何一項所述的方法，其中控制由硼源進行的硼供給包括如下中的至少之一：i)控制包括硼的顆粒的大小、幾何形狀和輸送速率中的至少之一；ii)控制硼載氣的流動或部分壓力；iii)控制被使得與硅熔體接觸的源材料的量并且更改源材料的溫度，其中源材料摻雜有硼。

13.根據前述權利要求中的任何一項所述的方法，進一步包括確定沿著直拉硅晶錠(112)的晶軸(x)的氧濃度。